1. Electromigration effect on the surface morphology during the Ge deposition on Si(1 1 1) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Latyshev, A. V., 28 янв. 2019, в: Applied Surface Science. 465, стр. 10-14 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Electrochemically exfoliated thin Bi2Se3 films and van der Waals heterostructures Bi2Se3/graphene

    Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Kokh, K. A., Kustov, D. A., Soots, R. A., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., 7 янв. 2020, в: Nanotechnology. 31, 12, 7 стр., 125602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Effect of deposition conditions on the thermal stability of Ge layers on SiO2 and their dewetting behavior

    Dabard, C., Shklyaev, A. A., Armbrister, V. A. & Aseev, A. L., 1 янв. 2020, в: Thin Solid Films. 693, 7 стр., 137681.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Drift velocity in GaN semiconductors: Monte Carlo simulation and comparison with experimental measurements

    Kablukova, E., Sabelfeld, K., Protasov, D. Y. & Zhuravlev, K. S., 1 дек. 2020, в: Monte Carlo Methods and Applications. 26, 4, стр. 263-271 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Double Complex Salts [Ln(C 6 H 5 NO 2 ) 3 (H 2 O) 2 ][Cr(NCS) 6 ] · 2H 2 O (Ln = Lu, Ce, Y): Synthesis and Crystal Structure

    Cherkasova, E. V., Pervukhina, N. V., Kuratieva, N. V. & Cherkasova, T. G., 1 мар. 2019, в: Russian Journal of Inorganic Chemistry. 64, 3, стр. 329-334 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Donor-acceptor pair emission via defects with strong electron-phonon coupling in heavily doped AlxGa1-xN:Si layers with Al content x > 0.5

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Milakhin, D. S., Plyusnin, V. F. & Zhuravlev, K. S., 1 июн. 2019, в: Japanese Journal of Applied Physics. 58, SC, 7 стр., 27.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Donor-acceptor nature of orange photoluminescence in AlN

    Aleksandrov, I. A., Malin, T. V., Milakhin, D. S., Ber, B. Y., Kazantsev, D. Y. & Zhuravlev, K. S., окт. 2020, в: Semiconductor Science and Technology. 35, 12, 9 стр., 125006.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Diffusion in GaN/AlN superlattices: DFT and EXAFS study

    Aleksandrov, I. A., Malin, T. V., Zhuravlev, K. S., Trubina, S. V., Erenburg, S. B., Pecz, B. & Lebiadok, Y. V., 15 июн. 2020, в: Applied Surface Science. 515, 7 стр., 146001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 19061863