Electronic structure and charge transport mechanism in a forming-free SiOx-based memristor › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1088/1361-6528/abb505
Конечная издательская версия

Andrei A. Gismatulin
Vitalii A. Voronkovskii
Gennadiy N. Kamaev
Yuriy N. Novikov
Vladimir N. Kruchinin
Grigory K. Krivyakin
Vladimir A. Gritsenko
Igor P. Prosvirin
Albert Chin

Язык оригинала	английский
Номер статьи	505704
Число страниц	10
Журнал	Nanotechnology
Том	31
Номер выпуска	50
DOI	https://doi.org/10.1088/1361-6528/abb505
Состояние	Опубликовано - 11 дек. 2020

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 25674561