1. Structure of Hf 0.9 La 0.1 O 2 Ferroelectric Films Obtained by the Atomic Layer Deposition

    Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Gutakovskii, A. K. & Prosvirin, I. P., 1 янв. 2019, в: JETP Letters. 109, 2, стр. 116-120 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Structure, Volatility, and Luminescence of Phenanthroline Adducts with Lanthanide Tris-Dipivaloylmethanates

    Stabnikov, P. A., Urkasym kyzy, S., Trubin, S. V., Pervukhina, N. V., Korolkov, I. V., Berezin, A. S. & Morozova, N. B., 1 янв. 2020, в: Journal of Structural Chemistry. 61, 1, стр. 101-108 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Substitution of Phosphorus at the InP(001) Surface Upon Annealing in an Arsenic Flux

    Dmitriev, D. V., Kolosovsky, D. A., Fedosenko, E. V., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., нояб. 2021, в: Semiconductors. 55, 11, стр. 823-827 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Surface Morphologies Obtained by Ge Deposition on Bare and Oxidized Silicon Surfaces at Different Temperatures

    Shklyaev, A. A., Romanyuk, K. N., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 325-344 20 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  5. Surface Polaritons in Silicon-Doped Aluminum and Gallium Nitride Films

    Novikova, N. N., Yakovlev, V. A., Klimin, S. A., Malin, T. V., Gilinsky, A. M. & Zhuravlev, K. S., 1 июл. 2019, в: Optics and Spectroscopy. 127, 1, стр. 36-39 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Surface-Tip-enhanced Raman Scattering by CdSe Nanocrystals on Plasmonic Substrates

    Milekhin, I. A., Milekhin, A. G. & Zahn, D. R. T., 1 июл. 2022, в: Nanomaterials. 12, 13, 2197.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхобзорная статьяРецензирование

  7. Suspended quantum point contact with triple channel selectively driven by side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 7 окт. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 15, 152101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Swift heavy-ion irradiation of graphene oxide: Localized reduction and formation of sp-hybridized carbon chains

    Olejniczak, A., Nebogatikova, N. A., Frolov, A. V., Kulik, M., Antonova, I. V. & Skuratov, V. A., 1 янв. 2019, в: Carbon. 141, стр. 390-399 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Synthesis of samarium oxysulfateSm2O2SO4 in the high-temperature oxidation reaction and its structural, thermal and luminescent properties

    Denisenko, Y. G., Sal'nikova, E. I., Basova, S. A., Molokeev, M. S., Krylov, A. S., Aleksandrovsky, A. S., Oreshonkov, A. S., Atuchin, V. V., Volkova, S. S., Khritokhin, N. A. & Andreev, O. V., 14 мар. 2020, в: Molecules. 25, 6, 15 стр., 1330.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. The atomic and electronic structure of Hf0.5Zr0.5O2 and Hf0.5Zr0.5O2: La films

    Perevalov, T., Prosvirin, I. P., Suprun, E. A., Mehmood, F., Mikolajick, T., Schroeder, U. & Gritsenko, V. A., дек. 2021, в: Journal of science-Advanced materials and devices. 6, 4, стр. 595-600 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. The charge transport mechanism in amorphous boron nitride

    Novikov, Y. N. & Gritsenko, V. A., 15 сент. 2020, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 544, 4 стр., 120213.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. The DA-pHEMT heterostructures for power microwave transistors

    Zhuravlev, K. S., Protasov, D. Y., Gulyaev, D. V., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., Lapin, V. G., Lukashin, V. M. & Pashkovskii, A. B., 1 мая 2019, 2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 3 стр. 8804008. (2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  13. The effect of barrier layers on 2D electron effective mass in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures

    Sonmez, F., Ardali, S., Lisesivdin, S. B., Malin, T., Mansurov, V., Zhuravlev, K. & Tiras, E., июн. 2021, в: Journal of Physics Condensed Matter. 33, 25, 255501.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  14. The effect of passivation layer, doping and spacer layer on electron- longitudinal optical phonon momentum relaxation time in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures

    Sonmez, F., Ardali, S., Atmaca, G., Lisesivdin, S. B., Malin, T., Mansurov, V., Zhuravlev, K. & Tiras, E., февр. 2021, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 122, 8 стр., 105449.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  15. The Influence of the InAlAs Layer Surface Morphology on the Temperature Dependence of Parameters of Au/Ti/n-InAlAs(001) Schottky Diodes

    Chistokhin, I. B., Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Dmitriev, D. V., Marchishin, I. V., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., 1 февр. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 2, стр. 180-184 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  16. The modification of optical properties of the surfaces by the glancing angle deposition of TiO2

    Lemzyakov, A., Konstantin, K., Porosev, V., Azarov, I. & Shklyaev, A., 17 нояб. 2020, Synchrotron and Free Electron Laser Radiation: Generation and Application, SFR 2020. Knyazev, B. & Vinokurov, N. (ред.). American Institute of Physics Inc., 060008. (AIP Conference Proceedings; том 2299).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  17. The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Aliev, V. S., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Chin, A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 493-504 12 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  18. The reentrant four-layer quasi-elliptic bandstop filter

    Atuchin, V. V., Gorbachev, A. P., Khrustalev, V. A. & Tarasenko, N. V., 1 янв. 2019, в: Electronics (Switzerland). 8, 1, 20 стр., 81.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  19. The role of a plasmonic substrate on the enhancement and spatial resolution of tip-enhanced Raman scattering

    Rahaman, M., Milekhin, A. G., Mukherjee, A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 1 мая 2019, в: Faraday Discussions. 214, стр. 309-323 15 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  20. Transformation of the InP(001) surface upon annealing in an arsenic flux

    Dmitriev, D. V., Kolosovsky, D. A., Gavrilova, T. A., Gutakovskii, A. K., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., авг. 2021, в: Surface Science. 710, 121861.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 19061863