Substitution of Phosphorus at the InP(001) Surface Upon Annealing in an Arsenic Flux › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/S1063782621100080
Конечная издательская версия

D. V. Dmitriev
D. A. Kolosovsky
E. V. Fedosenko
A. I. Toropov
K. S. Zhuravlev

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	823-827
Число страниц	5
Журнал	Semiconductors
Том	55
Номер выпуска	11
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063782621100080
Состояние	Опубликовано - нояб. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

2.05 ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

ID: 35550921