Structure of Hf 0.9 La 0.1 O 2 Ferroelectric Films Obtained by the Atomic Layer Deposition › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/S0021364019020115
Конечная издательская версия

T. V. Perevalov
V. A. Gritsenko
A. K. Gutakovskii
I. P. Prosvirin

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	116-120
Число страниц	5
Журнал	JETP Letters
Том	109
Номер выпуска	2
DOI	https://doi.org/10.1134/S0021364019020115
Состояние	Опубликовано - 1 янв. 2019

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 19647513