Standard

Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов. / Богословцева, Алена Леонидовна; Капишников, Александр Владимирович; Гейдт, Павел Викторович.

In: Техника радиосвязи, No. 1 (60), 7, 2024, p. 75-83.

Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

Harvard

Богословцева, АЛ, Капишников, АВ & Гейдт, ПВ 2024, 'Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов', Техника радиосвязи, no. 1 (60), 7, pp. 75-83.

APA

Богословцева, А. Л., Капишников, А. В., & Гейдт, П. В. (2024). Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов. Техника радиосвязи, (1 (60)), 75-83. [7].

Vancouver

Богословцева АЛ, Капишников АВ, Гейдт ПВ. Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов. Техника радиосвязи. 2024;(1 (60)):75-83. 7.

Author

Богословцева, Алена Леонидовна ; Капишников, Александр Владимирович ; Гейдт, Павел Викторович. / Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов. In: Техника радиосвязи. 2024 ; No. 1 (60). pp. 75-83.

BibTeX

@article{5e02dc15d55e4df2966b9e2e8a96fcbf,
title = "Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов",
abstract = "Исследованы двухслойные пленки AlN/Al, осажденные на кремниевой подложке методом импульсного магнетронного распыления при постоянном токе. Показано, что осаждение Al без дополнительного нагрева подложки (T~60 ℃) приводит к формированию слоя, на котором возможно формирование пьезоактивного гексагонального AlN с характерной аксиальной текстурой. В то же время дополнительный нагрев при осаждении алюминия (T = 200 ℃) приводит к снижению степени текстурирования осаждаемого впоследствии нитрида алюминия. По-видимому, структурные и микроструктурные характеристики слоя алюминия, получаемого при повышенной температуре, способствуют отклонению кристаллитов AlN от перпендикулярного направления в ходе его роста.",
keywords = "НИТРИД АЛЮМИНИЯ, ALN/AL, МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ, СТРУКТУРА МАТЕРИАЛОВ, ПЬЕЗОАКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ",
author = "Богословцева, {Алена Леонидовна} and Капишников, {Александр Владимирович} and Гейдт, {Павел Викторович}",
note = "Богословцева А.Л., Капишников А.В., Гейдт П.В. Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов // Техника радиосвязи. – 2024. – № 1 (60). – С. 75-83. – EDN MSANBW. Работа выполнена на базе приборного парка ЦКП «ВТАН» НГУ и финансово поддержана проектом госзадания МНВО РФ № FSUS-2024-0020. Авторы выражают благодарность В.Р. Шаяпову, С.Ю. Чепкасову и Е.А. Максимовскому.",
year = "2024",
language = "русский",
pages = "75--83",
journal = "Техника радиосвязи",
issn = "2075-8693",
publisher = "Омский научно-исследовательский институт приборостроения",
number = "1 (60)",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов

AU - Богословцева, Алена Леонидовна

AU - Капишников, Александр Владимирович

AU - Гейдт, Павел Викторович

N1 - Богословцева А.Л., Капишников А.В., Гейдт П.В. Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов // Техника радиосвязи. – 2024. – № 1 (60). – С. 75-83. – EDN MSANBW. Работа выполнена на базе приборного парка ЦКП «ВТАН» НГУ и финансово поддержана проектом госзадания МНВО РФ № FSUS-2024-0020. Авторы выражают благодарность В.Р. Шаяпову, С.Ю. Чепкасову и Е.А. Максимовскому.

PY - 2024

Y1 - 2024

N2 - Исследованы двухслойные пленки AlN/Al, осажденные на кремниевой подложке методом импульсного магнетронного распыления при постоянном токе. Показано, что осаждение Al без дополнительного нагрева подложки (T~60 ℃) приводит к формированию слоя, на котором возможно формирование пьезоактивного гексагонального AlN с характерной аксиальной текстурой. В то же время дополнительный нагрев при осаждении алюминия (T = 200 ℃) приводит к снижению степени текстурирования осаждаемого впоследствии нитрида алюминия. По-видимому, структурные и микроструктурные характеристики слоя алюминия, получаемого при повышенной температуре, способствуют отклонению кристаллитов AlN от перпендикулярного направления в ходе его роста.

AB - Исследованы двухслойные пленки AlN/Al, осажденные на кремниевой подложке методом импульсного магнетронного распыления при постоянном токе. Показано, что осаждение Al без дополнительного нагрева подложки (T~60 ℃) приводит к формированию слоя, на котором возможно формирование пьезоактивного гексагонального AlN с характерной аксиальной текстурой. В то же время дополнительный нагрев при осаждении алюминия (T = 200 ℃) приводит к снижению степени текстурирования осаждаемого впоследствии нитрида алюминия. По-видимому, структурные и микроструктурные характеристики слоя алюминия, получаемого при повышенной температуре, способствуют отклонению кристаллитов AlN от перпендикулярного направления в ходе его роста.

KW - НИТРИД АЛЮМИНИЯ

KW - ALN/AL

KW - МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ

KW - СТРУКТУРА МАТЕРИАЛОВ

KW - ПЬЕЗОАКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=65621438

M3 - статья по материалам конференции

SP - 75

EP - 83

JO - Техника радиосвязи

JF - Техника радиосвязи

SN - 2075-8693

IS - 1 (60)

M1 - 7

ER -

ID: 61325130