Research output: Patent › Patent for invention
Способ формирования интенсивного пучка газовых частиц для модификации поверхности материалов, основанный на технологии газовых кластерных ионов. / Коробейщиков, Николай Геннадьевич (Author); Николаев, Иван Владимирович (Author).
Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Patent No.: 2811079. Jan 11, 2024.Research output: Patent › Patent for invention
}
TY - PAT
T1 - Способ формирования интенсивного пучка газовых частиц для модификации поверхности материалов, основанный на технологии газовых кластерных ионов
AU - Коробейщиков, Николай Геннадьевич
AU - Николаев, Иван Владимирович
PY - 2024/1/11
Y1 - 2024/1/11
N2 - Изобретение относится к способам обработки поверхности различных материалов с помощью бомбардировки интенсивным потоком газовых частиц (молекул и малых кластеров) с малой удельной кинетической энергией. Технический результат - повышение эффективности и производительности обработки материалов путем повышения интенсивности пучка газовых частиц (молекул и малых кластеров), достигающих поверхности мишени. В способе поток формируется путем фрагментации ускоренных газовых кластерных ионов на фоновых частицах газа в малом объёме непосредственно перед мишенью. При этом фон создается в результате рассеяния самого кластерного пучка на мишени. Длину газовой ячейки подбирают таким образом, чтобы произведение давления фонового газа на длину траектории пучка от входа в газовую ячейку до мишени составляло не менее 5×10-4 торр×см.
AB - Изобретение относится к способам обработки поверхности различных материалов с помощью бомбардировки интенсивным потоком газовых частиц (молекул и малых кластеров) с малой удельной кинетической энергией. Технический результат - повышение эффективности и производительности обработки материалов путем повышения интенсивности пучка газовых частиц (молекул и малых кластеров), достигающих поверхности мишени. В способе поток формируется путем фрагментации ускоренных газовых кластерных ионов на фоновых частицах газа в малом объёме непосредственно перед мишенью. При этом фон создается в результате рассеяния самого кластерного пучка на мишени. Длину газовой ячейки подбирают таким образом, чтобы произведение давления фонового газа на длину траектории пучка от входа в газовую ячейку до мишени составляло не менее 5×10-4 торр×см.
KW - ГАЗОВЫЙ КЛАСТЕРНЫЙ ИОН
KW - ФРАГМЕНТАЦИЯ КЛАСТЕРОВ
KW - РАСПЫЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ
KW - ИНТЕНСИВНОСТЬ ИОННОГО ПУЧКА
M3 - патент на изобретение
M1 - 2811079
Y2 - 2023/04/19
PB - Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности
ER -
ID: 51929956