Способ формирования интенсивного пучка газовых частиц для модификации поверхности материалов, основанный на технологии газовых кластерных ионов

Standard

Способ формирования интенсивного пучка газовых частиц для модификации поверхности материалов, основанный на технологии газовых кластерных ионов. / Коробейщиков, Николай Геннадьевич (автор); Николаев, Иван Владимирович (автор).

Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Номер патента: 2811079. янв. 11, 2024.

Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрации › патент на изобретение

BibTeX

@misc{244f8d17d970497598d6a5d31c9c3497,

title = "Способ формирования интенсивного пучка газовых частиц для модификации поверхности материалов, основанный на технологии газовых кластерных ионов",

abstract = "Изобретение относится к способам обработки поверхности различных материалов с помощью бомбардировки интенсивным потоком газовых частиц (молекул и малых кластеров) с малой удельной кинетической энергией. Технический результат - повышение эффективности и производительности обработки материалов путем повышения интенсивности пучка газовых частиц (молекул и малых кластеров), достигающих поверхности мишени. В способе поток формируется путем фрагментации ускоренных газовых кластерных ионов на фоновых частицах газа в малом объёме непосредственно перед мишенью. При этом фон создается в результате рассеяния самого кластерного пучка на мишени. Длину газовой ячейки подбирают таким образом, чтобы произведение давления фонового газа на длину траектории пучка от входа в газовую ячейку до мишени составляло не менее 5×10-4 торр×см.",

keywords = "ГАЗОВЫЙ КЛАСТЕРНЫЙ ИОН, ФРАГМЕНТАЦИЯ КЛАСТЕРОВ, РАСПЫЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ, ИНТЕНСИВНОСТЬ ИОННОГО ПУЧКА",

author = "Коробейщиков, {Николай Геннадьевич} and Николаев, {Иван Владимирович}",

year = "2024",

month = jan,

day = "11",

language = "русский",

publisher = "Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности",

type = "Patent",

note = "2811079",

}

RIS

TY - PAT

T1 - Способ формирования интенсивного пучка газовых частиц для модификации поверхности материалов, основанный на технологии газовых кластерных ионов

AU - Коробейщиков, Николай Геннадьевич

AU - Николаев, Иван Владимирович

PY - 2024/1/11

Y1 - 2024/1/11

N2 - Изобретение относится к способам обработки поверхности различных материалов с помощью бомбардировки интенсивным потоком газовых частиц (молекул и малых кластеров) с малой удельной кинетической энергией. Технический результат - повышение эффективности и производительности обработки материалов путем повышения интенсивности пучка газовых частиц (молекул и малых кластеров), достигающих поверхности мишени. В способе поток формируется путем фрагментации ускоренных газовых кластерных ионов на фоновых частицах газа в малом объёме непосредственно перед мишенью. При этом фон создается в результате рассеяния самого кластерного пучка на мишени. Длину газовой ячейки подбирают таким образом, чтобы произведение давления фонового газа на длину траектории пучка от входа в газовую ячейку до мишени составляло не менее 5×10-4 торр×см.

AB - Изобретение относится к способам обработки поверхности различных материалов с помощью бомбардировки интенсивным потоком газовых частиц (молекул и малых кластеров) с малой удельной кинетической энергией. Технический результат - повышение эффективности и производительности обработки материалов путем повышения интенсивности пучка газовых частиц (молекул и малых кластеров), достигающих поверхности мишени. В способе поток формируется путем фрагментации ускоренных газовых кластерных ионов на фоновых частицах газа в малом объёме непосредственно перед мишенью. При этом фон создается в результате рассеяния самого кластерного пучка на мишени. Длину газовой ячейки подбирают таким образом, чтобы произведение давления фонового газа на длину траектории пучка от входа в газовую ячейку до мишени составляло не менее 5×10-4 торр×см.

KW - ГАЗОВЫЙ КЛАСТЕРНЫЙ ИОН

KW - ФРАГМЕНТАЦИЯ КЛАСТЕРОВ

KW - РАСПЫЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ

KW - ИНТЕНСИВНОСТЬ ИОННОГО ПУЧКА

M3 - патент на изобретение

M1 - 2811079

Y2 - 2023/04/19

PB - Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности

ER -

ID: 51929956