Tackling residual tensile stress in AlN-on-Si nucleation layers via the controlled Si(111) surface nitridation › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1016/j.surfin.2024.104817
Конечная издательская версия

Denis Milakhin
Timur Malin
Vladimir Mansurov
Yan Maidebura
Dmitriy Bashkatov
Ilya Milekhin
Sergey Goryainov
Vladimir Volodin
Ivan Loshkarev
Vladimir Vdovin
Anton Gutakovskii
Sergei Ponomarev
Konstantin Zhuravlev

Язык оригинала	английский
Номер статьи	104817
Число страниц	14
Журнал	Surfaces and Interfaces
Том	51
DOI	https://doi.org/10.1016/j.surfin.2024.104817
Состояние	Опубликовано - 23 июл. 2024

Области исследований

AlN nucleation layer, AlN-on-Si, Ammonia molecular-beam epitaxy (NH3-MBE), Crystalline SiN(8 × 8), HR-TEM, Inversion domains, Nitridation, RHEED, Raman spectroscopy, Residual tensile stress, STM

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 60830386