Raman scattering and photoluminescence in In+ and As+ ion-implanted SiO2 layers encapsulated with Si3N4 › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1016/j.physb.2023.415201
Конечная издательская версия

Ida Tyschenko
Zhongbin Si
Vladimir Volodin
Svetlana Cherkova
Vladimir Popov

Язык оригинала	английский
Номер статьи	415201
Число страниц	6
Журнал	Physica B: Condensed Matter
Том	667
DOI	https://doi.org/10.1016/j.physb.2023.415201
Состояние	Опубликовано - 15 окт. 2023

Предметные области OECD FOS+WOS

2.02 ЭЛЕКТРОТЕХНИКА, ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА, ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
2.05 ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

ID: 55446908