Charge Transport Mechanism in the Forming-Free Memristor Based on PECVD Silicon Oxynitride › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.3390/electronics12030598
Конечная издательская версия

Andrei A. Gismatulin
Gennadiy N. Kamaev
Vladimir A. Volodin
Vladimir A. Gritsenko

Язык оригинала	английский
Номер статьи	598
Журнал	Electronics (Switzerland)
Том	12
Номер выпуска	3
DOI	https://doi.org/10.3390/electronics12030598
Состояние	Опубликовано - февр. 2023

Предметные области OECD FOS+WOS

1.02.ET ИНФОРМАТИКА, ИНФОРМАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ
2.02.IQ ИНЖЕНЕРИЯ, ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ И ЭЛЕКТРОННАЯ
1.03.UB ФИЗИКА, ПРИКЛАДНАЯ

ID: 49727178