A Mask Based on a Si Epitaxial Layer for the Self-Catalytic Nanowire Growth on GaAs(111)B and GaAs(100) Substrates › Обзор исследований

Исследовательский портал НГУ

A Mask Based on a Si Epitaxial Layer for the Self-Catalytic Nanowire Growth on GaAs(111)B and GaAs(100) Substrates

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

DOI

https://doi.org/10.1134/S1063785020020194
Конечная издательская версия

E. A. Emelyanov
A. G. Nastovjak
M. O. Petrushkov
M. Yu Esin
T. A. Gavrilova
M. A. Putyato
N. L. Schwartz
V. A. Shvets
A. V. Vasev
B. R. Semyagin
V. V. Preobrazhenskii

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	161-164
Число страниц	4
Журнал	Technical Physics Letters
Том	46
Номер выпуска	2
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063785020020194
Состояние	Опубликовано - 1 февр. 2020

Предметные области OECD FOS+WOS

1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

ID: 24161963