Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование
Фототок в PIN структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия. / Чэн, Юйчжу ; Камаев, Геннадий Николаевич; Попов, Александр Афанасьевич и др.
Двадцать восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-28) : Материалы конференции. Информационный бюллетень. Сборник тезисов докладов. В 1 т., Новосибирск, 01–06 апреля 2024 года. ред. / Александр Григорьевич Арапов. Том 1 Новосибирск : Ассоциация студентов-физиков и молодых учёных России, 2024. стр. 160-161.Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование
}
TY - GEN
T1 - Фототок в PIN структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия
AU - Чэн, Юйчжу
AU - Камаев, Геннадий Николаевич
AU - Попов, Александр Афанасьевич
AU - Володин, Владимир Алексеевич
N1 - Conference code: XXVIII
PY - 2024
Y1 - 2024
N2 - В настоящее время одним из эффективных способов реализации недорогих солнечных элементов и фотодетекторов на основе a-Si:H является использование PIN и NIP-структур с нановключениями из узкозонных полупроводников в нелегированный слой (I-слой). Например, в работе [1] была приготовлена периодическая многослойная структура nc-Ge:H (20 nm)/nc-Si:H (10 nm), содержащая нанокристаллы Ge размером около 5 нм. Благодаря экситонному поглощению света в нанокристаллах Ge, в NIP солнечном элементе на основе nc-Ge:H значительно усилился фотоотклик в диапазоне длин волн 1200–1450 нм. Недавно коллеги из Чехии создали PIN-диоды на основе a-Si:H с наночастицами германия и олова в I-слое и повысили эффективность солнечных элементов [2]. Целью данной работы является исследование вольтамперных характеристик (ВАХ) PIN структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия в темноте и при освещении видимым и инфракрасным (ИК) светом.
AB - В настоящее время одним из эффективных способов реализации недорогих солнечных элементов и фотодетекторов на основе a-Si:H является использование PIN и NIP-структур с нановключениями из узкозонных полупроводников в нелегированный слой (I-слой). Например, в работе [1] была приготовлена периодическая многослойная структура nc-Ge:H (20 nm)/nc-Si:H (10 nm), содержащая нанокристаллы Ge размером около 5 нм. Благодаря экситонному поглощению света в нанокристаллах Ge, в NIP солнечном элементе на основе nc-Ge:H значительно усилился фотоотклик в диапазоне длин волн 1200–1450 нм. Недавно коллеги из Чехии создали PIN-диоды на основе a-Si:H с наночастицами германия и олова в I-слое и повысили эффективность солнечных элементов [2]. Целью данной работы является исследование вольтамперных характеристик (ВАХ) PIN структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия в темноте и при освещении видимым и инфракрасным (ИК) светом.
KW - ГИДРОГЕНИЗИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ
KW - НАНОСЛОИ ГЕРМАНИЯ
KW - ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=68016536
M3 - статья в сборнике материалов конференции
SN - 978-5-93667-204-0
VL - 1
SP - 160
EP - 161
BT - Двадцать восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-28) : Материалы конференции. Информационный бюллетень. Сборник тезисов докладов. В 1 т., Новосибирск, 01–06 апреля 2024 года
A2 - Арапов, Александр Григорьевич
PB - Ассоциация студентов-физиков и молодых учёных России
CY - Новосибирск
T2 - XXVIII Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых ВНКСФ-28. Новосибирск, 01–06 апреля 2024 г.
Y2 - 1 April 2024 through 6 April 2024
ER -
ID: 63640278