Standard
Фототок в PIN структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия. / Чэн, Юйчжу ; Камаев, Геннадий Николаевич; Попов, Александр Афанасьевич et al.
Двадцать восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-28) : Материалы конференции. Информационный бюллетень. Сборник тезисов докладов. В 1 т., Новосибирск, 01–06 апреля 2024 года. ed. / Александр Григорьевич Арапов. Vol. 1 Новосибирск : Ассоциация студентов-физиков и молодых учёных России, 2024. p. 160-161.
Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research › peer-review
Harvard
Чэн, Ю, Камаев, ГН, Попов, АА
& Володин, ВА 2024,
Фототок в PIN структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия. in АГ Арапов (ed.),
Двадцать восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-28) : Материалы конференции. Информационный бюллетень. Сборник тезисов докладов. В 1 т., Новосибирск, 01–06 апреля 2024 года. vol. 1, Ассоциация студентов-физиков и молодых учёных России, Новосибирск, pp. 160-161, Двадцать восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых ВНКСФ-28, Новосибирск, Russian Federation,
01.04.2024.
APA
Чэн, Ю., Камаев, Г. Н., Попов, А. А.
, & Володин, В. А. (2024).
Фототок в PIN структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия. In А. Г. Арапов (Ed.),
Двадцать восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-28) : Материалы конференции. Информационный бюллетень. Сборник тезисов докладов. В 1 т., Новосибирск, 01–06 апреля 2024 года (Vol. 1, pp. 160-161). Ассоциация студентов-физиков и молодых учёных России.
Vancouver
Author
BibTeX
@inproceedings{4015a42bebba414a96b7fb211e569f82,
title = "Фототок в PIN структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия",
abstract = "В настоящее время одним из эффективных способов реализации недорогих солнечных элементов и фотодетекторов на основе a-Si:H является использование PIN и NIP-структур с нановключениями из узкозонных полупроводников в нелегированный слой (I-слой). Например, в работе [1] была приготовлена периодическая многослойная структура nc-Ge:H (20 nm)/nc-Si:H (10 nm), содержащая нанокристаллы Ge размером около 5 нм. Благодаря экситонному поглощению света в нанокристаллах Ge, в NIP солнечном элементе на основе nc-Ge:H значительно усилился фотоотклик в диапазоне длин волн 1200–1450 нм. Недавно коллеги из Чехии создали PIN-диоды на основе a-Si:H с наночастицами германия и олова в I-слое и повысили эффективность солнечных элементов [2]. Целью данной работы является исследование вольтамперных характеристик (ВАХ) PIN структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия в темноте и при освещении видимым и инфракрасным (ИК) светом.",
keywords = "ГИДРОГЕНИЗИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ, НАНОСЛОИ ГЕРМАНИЯ, ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ",
author = "Юйчжу Чэн and Камаев, {Геннадий Николаевич} and Попов, {Александр Афанасьевич} and Володин, {Владимир Алексеевич}",
note = "Фототок в PIN структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия / Ю. Чэн, Г.Н. Камаев, А.А. Попов, В.А. Володин // Двадцать восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-28) : Материалы конференции. Информационный бюллетень. Сборник тезисов докладов. В 1 т., Новосибирск, 01–06 апреля 2024 года. – Новосибирск: Ассоциация студентов-физиков и молодых учёных России, 2024. – С. 160-161. Работа выполнена при поддержке Министерства Образования и Науки РФ, проект FSUS-2024-0020.; Двадцать восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых ВНКСФ-28 : Сборник тезисов докладов. В 1 т. Издательство: Ассоциация студентов-физиков и молодых учёных России. 2024. Новосибирск. 355 с. Т.1. С. 325-326. ISBN: 978-5-93667-204-0. , ВНКСФ-28 ; Conference date: 01-04-2024 Through 06-04-2024",
year = "2024",
language = "русский",
isbn = "978-5-93667-204-0",
volume = "1",
pages = "160--161",
editor = "Арапов, {Александр Григорьевич}",
booktitle = "Двадцать восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-28) : Материалы конференции. Информационный бюллетень. Сборник тезисов докладов. В 1 т., Новосибирск, 01–06 апреля 2024 года",
publisher = "Ассоциация студентов-физиков и молодых учёных России",
address = "Российская Федерация",
}
RIS
TY - GEN
T1 - Фототок в PIN структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия
AU - Чэн, Юйчжу
AU - Камаев, Геннадий Николаевич
AU - Попов, Александр Афанасьевич
AU - Володин, Владимир Алексеевич
N1 - Conference code: 28
PY - 2024
Y1 - 2024
N2 - В настоящее время одним из эффективных способов реализации недорогих солнечных элементов и фотодетекторов на основе a-Si:H является использование PIN и NIP-структур с нановключениями из узкозонных полупроводников в нелегированный слой (I-слой). Например, в работе [1] была приготовлена периодическая многослойная структура nc-Ge:H (20 nm)/nc-Si:H (10 nm), содержащая нанокристаллы Ge размером около 5 нм. Благодаря экситонному поглощению света в нанокристаллах Ge, в NIP солнечном элементе на основе nc-Ge:H значительно усилился фотоотклик в диапазоне длин волн 1200–1450 нм. Недавно коллеги из Чехии создали PIN-диоды на основе a-Si:H с наночастицами германия и олова в I-слое и повысили эффективность солнечных элементов [2]. Целью данной работы является исследование вольтамперных характеристик (ВАХ) PIN структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия в темноте и при освещении видимым и инфракрасным (ИК) светом.
AB - В настоящее время одним из эффективных способов реализации недорогих солнечных элементов и фотодетекторов на основе a-Si:H является использование PIN и NIP-структур с нановключениями из узкозонных полупроводников в нелегированный слой (I-слой). Например, в работе [1] была приготовлена периодическая многослойная структура nc-Ge:H (20 nm)/nc-Si:H (10 nm), содержащая нанокристаллы Ge размером около 5 нм. Благодаря экситонному поглощению света в нанокристаллах Ge, в NIP солнечном элементе на основе nc-Ge:H значительно усилился фотоотклик в диапазоне длин волн 1200–1450 нм. Недавно коллеги из Чехии создали PIN-диоды на основе a-Si:H с наночастицами германия и олова в I-слое и повысили эффективность солнечных элементов [2]. Целью данной работы является исследование вольтамперных характеристик (ВАХ) PIN структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия в темноте и при освещении видимым и инфракрасным (ИК) светом.
KW - ГИДРОГЕНИЗИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ
KW - НАНОСЛОИ ГЕРМАНИЯ
KW - ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=68016536
M3 - статья в сборнике материалов конференции
SN - 978-5-93667-204-0
VL - 1
SP - 160
EP - 161
BT - Двадцать восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-28) : Материалы конференции. Информационный бюллетень. Сборник тезисов докладов. В 1 т., Новосибирск, 01–06 апреля 2024 года
A2 - Арапов, Александр Григорьевич
PB - Ассоциация студентов-физиков и молодых учёных России
CY - Новосибирск
T2 - Двадцать восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых ВНКСФ-28
Y2 - 1 April 2024 through 6 April 2024
ER -
