DOI

Переведенное названиеCLUSTER ION TREATMENT OF THE SURFACE OF SINGLE-CRYSTAL SILICON AND GERMANIUM AT AN ANGLE OF 60°
Язык оригиналарусский
Номер статьи8
Страницы (с-по)60-64
Число страниц5
ЖурналПоверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Номер выпуска2
DOI
СостояниеОпубликовано - 2025

    Области исследований

  • НАНОСТРУКТУРИРОВАНИЕ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ГАЗОВЫЙ КЛАСТЕР, ИОННО-КЛАСТЕРНЫЙ ПУЧОК, АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ, МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ, ШЕРОХОВАТОСТЬ ПОВЕРХНОСТИ

    Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03.UB ФИЗИКА, ПРИКЛАДНАЯ

ID: 68110429