11 - 20 из 82Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Biosensors Based on SOI Nanowire Transistors for Biomedicine and Virusology

    Naumova, O. V., Generalov, V. M., Zaitseva, E. G., Latyshev, A. V., Aseev, A. L., Pyankov, S. A., Kolosova, I. V., Ananko, G. G., Agafonov, A. P., Gavrilova, E. V., Maksyutov, R. A. & Safatov, A. S., мая 2021, в: Russian Microelectronics. 50, 3, стр. 137-145 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Broadband Antireflection Coatings Composed of Subwavelength-Sized SiGe Particles

    Utkin, D. E., Tsarev, A. V., Utkin, E. N., Latyshev, A. V. & Shklyaev, A. A., 1 сент. 2021, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57, 5, стр. 494-504 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Controlling the Si(001) Surface Morphology upon Thermal Annealing in a Vacuum Chamber

    Rodyakina, E. E., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I. & Latyshev, A. V., 1 нояб. 2018, в: Russian Microelectronics. 47, 6, стр. 365-370 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Effect of Mie resonances in coatings consisting of dielectric particles on the light propagation in substrate surface layers

    Shklyaev, A. A., Utkin, D. E., Tsarev, A. V. & Latyshev, A. V., сент. 2023, в: Optical Materials. 143, 114171.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Electromigration effect on the surface morphology during the Ge deposition on Si(1 1 1) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Latyshev, A. V., 28 янв. 2019, в: Applied Surface Science. 465, стр. 10-14 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Electromigration Effect on Vacancy Islands Nucleation on Si(100) Surface during Sublimation

    Sitnikov, S. V., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2019, в: Semiconductors. 53, 6, стр. 795-799 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Element base of quantum informatics II: Quantum communications with single photons

    Ryabtsev, I. I., Tretyakov, D. B., Kolyako, A. V., Pleshkov, A. S., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 121-130 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Element base of quantum informatics I. Qubits of a quantum computer based on single atoms in optical traps

    Ryabtsev, I. I., Beterov, I. I., Yakshina, E. A., Tretyakov, D. B., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 109-120 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Etching Kinetics of Si(111) Surface by Selenium Molecular Beam

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Petrov, A. S., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., сент. 2020, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 56, 5, стр. 449-455 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Etching of step-bunched Si(1 1 1) surface by Se molecular beam observed by in situ REM

    Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Ponomarev, S. A., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2020, в: Journal of Crystal Growth. 529, 125273.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Далее

ID: 3436806