11 - 13 из 13Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2024

  2. Charge transport mechanism in [GeOx](z)[SiO2](1-z) based MIS structures

    Yushkov, I. D., Gismatulin, A. A., Prosvirin, I. P., Kamaev, G. N., Marin, D. V., Vergnat, M. & Volodin, V. A., 9 дек. 2024, в: Applied Physics Letters. 125, 24, 242901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2025

  4. Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z)/n+-Si

    Юшков, И. Д., Гисматулин, А. А., Камаев, Г. Н., Vergnat, M. & Володин, В. А., 2025, в: Физика и техника полупроводников. 59, 6, стр. 364-370 7 стр., 10.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Charge Transport in MIS Structures ITO/[GeOx](z)[SiO2](1–z)/Si

    Yushkov, I., Gismatulin, A., Kamaev, G., Vergnat, M. & Volodin, V. A., дек. 2025, в: Russian Microelectronics. 54, 8, стр. 842-847 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3518069