1. Atomic and electronic structures of the native defects responsible for the resistive effect in HfO2: ab initio simulations

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 5 стр., 111038.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Atomic and Electronic Structures of Intrinsic Defects in Ta2O5: Ab Initio Simulation

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R. & Chernykh, I. G., 1 июн. 2018, в: JETP Letters. 107, 12, стр. 761-765 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO2

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 275-278 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Atomic and Electronic Structure of Defect Ni Complexes and Oxygen Vacancies in HfO2 and Their Influence on Charge Transport in Memristors

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R. & Chernov, A. A., сент. 2025, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 141, 1-3, стр. 113-119 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 3435182