11 - 20 из 32Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Optimal Structure of Lanthanum-Doped Hafnium Oxide: First-Principle Modeling

    Kovzik, V. M., Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 2022, Proceedings of the 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2022. IEEE Computer Society, стр. 11-14 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2022-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  2. Mechanism of Transverse Charge Transfer in Thin Films of Hexagonal Boron Nitride

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Azarov, I. A., Spesivtsev, E. V. & Gritsenko, V. A., мар. 2023, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 136, 3, стр. 345-352 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Mechanism of charge transport of stress induced leakage current and trap nature in thermal oxide on silicon

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Orlov, O. M. & Krasnikov, G. Y., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  4. Leakage currents mechanism in thin films of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

    Islamov, D. R., Chernikova, A. G., Kozodaev, M. G., Markeev, A. M., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A. & Orlov, O. M., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  5. Influence of the active TaN/ZrOx/Ni memristor layer oxygen content on forming and resistive switching behavior

    Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K., Perevalov, T. V., Prosvirin, I. P. & Islamov, D. R., 30 апр. 2021, в: Nanotechnology. 32, 18, 185205.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Impact of oxygen vacancy on the ferroelectric properties of lanthanum-doped hafnium oxide

    Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. Y., 19 окт. 2020, в: Applied Physics Letters. 117, 16, 5 стр., 162901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Impact of lanthanum doping on the electronic structure of oxygen vacancies in hafnium oxide

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 30 янв. 2024, в: Computational Materials Science. 233, 5 стр., 112708.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Identification of the nature of traps involved in the field cycling of Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric thin films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Pustovarov, V. A., Orlov, O. M., Chernikova, A. G., Markeev, A. M., Slesazeck, S., Schroeder, U., Mikolajick, T. & Krasnikov, G. Y., 1 мар. 2019, в: Acta Materialia. 166, стр. 47-55 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Exact statistical solution for the hopping transport of trapped charge via finite Markov jump processes

    Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 13 мая 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, стр. 10163 10163.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Electronic structure of stoichiometric and oxygen-deficient ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 11 мая 2018, в: Nanotechnology. 29, 19, 8 стр., 194001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 3435182