71 - 78 из 78Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2017

  2. Submicron- and micron-sized SiGe island formation on Si(100) by dewetting

    Shklyaev, A. A. & Budazhapova, A. E., 30 нояб. 2017, в: Thin Solid Films. 642, стр. 345-351 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Formation and study of p–i–n structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the i-type region

    Krivyakin, G. K., Volodin, V. A., Shklyaev, A. A., Mortet, V., More-Chevalier, J., Ashcheulov, P., Remes, Z., Stuchliková, T. H. & Stuchlik, J., 1 окт. 2017, в: Semiconductors. 51, 10, стр. 1370-1376 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Electromechanical coupling in suspended nanomechanical resonators with a two-dimensional electron gas

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012043.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  5. Critical conditions for SiGe island formation during Ge deposition on Si(100) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Budazhapova, A. E., 1 янв. 2017, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 57, стр. 18-23 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Formation of Periodic Structures (2D-PhCs) by Scanning Electron Lithography

    Utkin, D., Shklyev, A., Tsarev, A., Latyshev, A. & Nasimov, D., 1 янв. 2017, в: Physics Procedia. 86, стр. 127-130 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  7. Surface Morphologies Obtained by Ge Deposition on Bare and Oxidized Silicon Surfaces at Different Temperatures

    Shklyaev, A. A., Romanyuk, K. N., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 325-344 20 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  8. THE DEPOSITION OF GERMANIUM NANOPARTICLES ON HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON

    Stuchlik, J., Volodin, V. A., Shklyaev, A. A., Stuchlikova, T. H., Ledinsky, M., Cermak, J., Kupcik, J., Fajgar, R., Mortet, V., More-Chevalier, J., Ashcheulov, P., Purkrt, A. & Remes, Z., 2017, 8TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOMATERIALS - RESEARCH & APPLICATION (NANOCON 2016). TANGER LTD, стр. 133-137 5 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  9. 2011

  10. Технология получения высокоупорядоченной ступенчатой поверхности Si (111) -7x7

    Романюк, К. Н. & Шкляев, А. А., 25 нояб. 2011, Редакционно-издательский центр НГУ, Патент/Св-во № 6, Дата приоритета 22 нояб. 2011

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрации › свидетельство о регистрации ноу-хау

Назад 1...4 5 6 7 8 Далее

ID: 3455017