51 - 60 из 76Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2020

  2. Dependence of light reflection of germanium Mie nanoresonators on their aspect ratio

    Utkin, D. E., Anikin, K. V., Veber, S. L. & Shklyaev, A. A., нояб. 2020, в: Optical Materials. 109, 5 стр., 110466.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Formation of submicron- and micron-sized SiGe and Ge particles on Si substrates using dewetting

    Shklyaev, A. A., 23 апр. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1461, 1, 3 стр., 012160.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  4. Atomic structure of high Miller index Si(47 35 7) surface

    Zhachuk, R. A., Dolbak, A. E. & Shklyaev, A. A., мар. 2020, в: Surface Science. 693, 5 стр., 121549.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Low-temperature dissipation and its persistent photoinduced change in AlGaAs/GaAs-based nanomechanical resonators

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 февр. 2020, в: Applied Physics Letters. 116, 5, 5 стр., 053104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Effect of deposition conditions on the thermal stability of Ge layers on SiO2 and their dewetting behavior

    Dabard, C., Shklyaev, A. A., Armbrister, V. A. & Aseev, A. L., 1 янв. 2020, в: Thin Solid Films. 693, 7 стр., 137681.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2019

  8. Universal building block for (1 1 0)-family silicon and germanium surfaces

    Zhachuk, R. A. & Shklyaev, A. A., 15 нояб. 2019, в: Applied Surface Science. 494, стр. 46-50 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Suspended quantum point contact with triple channel selectively driven by side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 7 окт. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 15, 152101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Nanoscale characterization of photonic metasurface made of lens-like SiGe Mie-resonators formed on Si (100) substrate

    Poborchii, V., Shklyaev, A., Bolotov, L. & Uchida, N., 28 сент. 2019, в: Journal of Applied Physics. 126, 12, 11 стр., 123102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. On-chip Piezoelectric Actuation of Nanomechanical Resonators Containing a Two-dimensional Electron Gas

    Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Arakcheev, A. S., Kurosu, M., Yamaguchi, H. & Pogosov, A. G., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 4, стр. 261-265 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Electromigration effect on the surface morphology during the Ge deposition on Si(1 1 1) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Latyshev, A. V., 28 янв. 2019, в: Applied Surface Science. 465, стр. 10-14 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 12 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 3455017