1. 2019
  2. Universal building block for (1 1 0)-family silicon and germanium surfaces

    Zhachuk, R. A. & Shklyaev, A. A., 15 нояб. 2019, в: Applied Surface Science. 494, стр. 46-50 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Suspended quantum point contact with triple channel selectively driven by side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 7 окт. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 15, 152101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Nanoscale characterization of photonic metasurface made of lens-like SiGe Mie-resonators formed on Si (100) substrate

    Poborchii, V., Shklyaev, A., Bolotov, L. & Uchida, N., 28 сент. 2019, в: Journal of Applied Physics. 126, 12, 11 стр., 123102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. On-chip Piezoelectric Actuation of Nanomechanical Resonators Containing a Two-dimensional Electron Gas

    Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Arakcheev, A. S., Kurosu, M., Yamaguchi, H. & Pogosov, A. G., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 4, стр. 261-265 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Electromigration effect on the surface morphology during the Ge deposition on Si(1 1 1) at high temperatures

    Shklyaev, A. A. & Latyshev, A. V., 28 янв. 2019, в: Applied Surface Science. 465, стр. 10-14 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. 2018
  8. Kelvin force and Raman microscopies of flat SiGe structures with different compositions grown on Si(111) at high temperatures

    Shklyaev, A. A., Bolotov, L., Poborchii, V., Tada, T. & Romanyuk, K. N., 15 авг. 2018, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 83, стр. 107-114 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Shapes of the micron-sized SiGe islands grown on Si(100) in Dewetting Conditions

    Budazhapova, A. E. & Shklyaev, A. A., 13 авг. 2018, 2018 19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2018 - Proceedings. IEEE Computer Society, Том 2018-July. стр. 16-18 3 стр. 8434951

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  10. The observation of the Aharonov-Bohm effect in suspended semiconductor ring interferometers

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Shevyrin, A. A., Yu Zhdanov, E., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Ishutkin, S. V., Stepanenko, M. V. & Shesterikov, E. V., 2 мар. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 964, 1, 5 стр., 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  11. Lateral-electric-field-induced spin polarization in a suspended GaAs quantum point contact

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 19 февр. 2018, в: Applied Physics Letters. 112, 8, 4 стр., 082102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. Raman and photoluminescence spectroscopy of SiGe layer evolution on Si(100) induced by dewetting

    Shklyaev, A. A., Volodin, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 7 янв. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 1, 8 стр., 015304.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3455017