1. 2022
  2. Groups of Ge nanoislands grown outside pits on pit-patterned Si substrates

    Rudin, S. A., Zinovyev, V. A., Smagina, Z. V., Novikov, P. L., Nenashev, A. V. & Pavsky, K. V., 1 сент. 2022, в: Journal of Crystal Growth. 593, 126763.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Light-Trapping-Enhanced Photodetection in Ge/Si Quantum Dot Photodiodes Containing Microhole Arrays with Different Hole Depths

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Utkin, D. E. & Dvurechenskii, A. V., сент. 2022, в: Nanomaterials. 12, 17, 2993.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Luminescent properties of spatially ordered Ge/Si quantum dots epitaxially grown on a pit-patterned “silicon-on-insulator” substrate

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Stepikhova, M. V., Peretokin, A. V., Rodyakina, E. E., Dyakov, S. A., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., сент. 2022, в: Journal of Luminescence. 249, 119033.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Multiwell Potential in a Trench-Type Quantum Point Contact

    Sarypov, D. I., Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y. & Bakarov, A. K., сент. 2022, в: JETP Letters. 116, 6, стр. 360-366 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Scattering anisotropy in HgTe (013) quantum well

    Khudaiberdiev, D. A., Savchenko, M. L., Kozlov, D. A., Mikhailov, N. N. & Kvon, Z. D., 22 авг. 2022, в: Applied Physics Letters. 121, 8, 083101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Interaction of Ge(Si) Self-Assembled Nanoislands with Different Modes of Two-Dimensional Photonic Crystal

    Stepikhova, M. V., Dyakov, S. A., Peretokin, A. V., Shaleev, M. V., Rodyakina, E. E. & Novikov, A. V., авг. 2022, в: Nanomaterials. 12, 15, 2687.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Percolation Description of Charge Transport in Amorphous Oxide Semiconductors: Band Conduction Dominated by Disorder

    Nenashev, A. V., Gebhard, F., Meerholz, K. & Baranovskii, S. D., авг. 2022, Amorphous Oxide Semiconductors: A singular resource on amorphous oxide semiconductors edited by a world-recognized pioneer in the field. Hosono, H. & Kumomi, H. (ред.). Wiley-VCH Verlag, стр. 125-144 20 стр. (Amorphous Oxide Semiconductors).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  9. Electronic Structure of Pb Adsorbed Surfaces of Intrinsic Magnetic Topological Insulators

    Klimovskikh, I. I., Estyunin, D. A., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A. & Shikin, A. M., 28 июл. 2022, в: The journal of physical chemistry letters. 13, 29, стр. 6628-6634 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Comment on “Interplay of Structural and Optoelectronic Properties in Formamidinium Mixed Tin-Lead Triiodide Perovskites”

    Baranovskii, S. D., Höhbusch, P., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gerhard, M., Hertel, D., Meerholz, K., Koch, M. & Gebhard, F., 25 июл. 2022, в: Advanced Functional Materials. 32, 30, 2201309.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Universal transparency and asymmetric spin splitting near the Dirac point in HgTe quantum wells

    Dziom, V., Shuvaev, A., Gospodarič, J., Novik, E. G., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Alpichshev, Z. & Pimenov, A., 15 июл. 2022, в: Physical Review B. 106, 4, 045302.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3084764