In situ tuning of symmetry-breaking-induced nonreciprocity in the giant-Rashba semiconductor BiTeBr

Kocsis, M., Zheliuk, O., Makk, P., Tóvári, E., Kun, P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Taniguchi, T., Watanabe, K., Ye, J. & Csonka, S., сент. 2021, в: Physical Review Research. 3, 3, 033253.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

In situ reflection electron microscopy for the surface processes analysis during sublimation and epitaxial growth of layered metal chalcogenides

Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Zakhozhev, K. E., Nasimov, D. A., Kurus, N. N., Gutakovskii, A. K., Kokh, K. A., Milekhin, A. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 2024, в: Modern Electronic Materials. 10, 4, стр. 251-261 11 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

In situ reflection electron microscopy for investigation of surface processes on Bi2Se3(0001)

Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Kurus, N. N., Basalaeva, L. S., Kokh, K. A., Milekhin, A. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 13 сент. 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 1984, 1, 012016.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

Influence of the active TaN/ZrO_x/Ni memristor layer oxygen content on forming and resistive switching behavior

Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K., Perevalov, T. V., Prosvirin, I. P. & Islamov, D. R., 30 апр. 2021, в: Nanotechnology. 32, 18, 185205.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance

Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Tsarenko, A. V., Nastovjak, A. E., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Tereshchenko, O. E. & Valisheva, N. A., 7 мая 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 17, 6 стр., 173901.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Increase in the Photocurrent in Layers of Ge/Si Quantum Dots by Modes of a Two-Dimensional Photonic Crystal

Yakimov, A. I., Bloshkin, A. A., Kirienko, V. V., Dvurechenskii, A. V. & Utkin, D. E., апр. 2021, в: JETP Letters. 113, 8, стр. 498-503 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Impact of Ultrathin Pb Films on the Topological Surface and Quantum-Well States of Bi₂Se₃ and Sb₂Te₃ Topological Insulators

Surnin, Y. A., Klimovskikh, I. I., Sostina, D. M., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E. & Shikin, A. M., 1 апр. 2018, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 126, 4, стр. 535-540 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Impact of oxygen vacancy on the ferroelectric properties of lanthanum-doped hafnium oxide

Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. Y., 19 окт. 2020, в: Applied Physics Letters. 117, 16, 5 стр., 162901.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Impact of lanthanum doping on the electronic structure of oxygen vacancies in hafnium oxide

Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 30 янв. 2024, в: Computational Materials Science. 233, 5 стр., 112708.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Impact of Co Atoms on the Electronic Structure of Bi₂Te₃ and MnBi₂Te₄ Topological Insulators

Makarova, T. P., Estyunin, D. A., Fil’nov, S. O., Glazkova, D. A., Pudikov, D. A., Rybkin, A. G., Gogina, A. A., Aliev, Z. S., Amiraslanov, I. R., Mamedov, N. T., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Shikin, A. M., Otrokov, M. M., Chulkov, E. V. & Klimovskikh, I. I., мая 2022, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 134, 5, стр. 607-614 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование