Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1063/1.5018670
Конечная издательская версия

A. P. Kovchavtsev
M. S. Aksenov
A. V. Tsarenko
A. E. Nastovjak
A. G. Pogosov
D. A. Pokhabov
O. E. Tereshchenko
N. A. Valisheva

Язык оригинала	английский
Номер статьи	173901
Число страниц	6
Журнал	Journal of Applied Physics
Том	123
Номер выпуска	17
DOI	https://doi.org/10.1063/1.5018670
Состояние	Опубликовано - 7 мая 2018

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 13333020