Influence of the active TaN/ZrO_x/Ni memristor layer oxygen content on forming and resistive switching behavior

Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K., Perevalov, T. V., Prosvirin, I. P. & Islamov, D. R., 30 апр. 2021, в: Nanotechnology. 32, 18, 185205.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

In situ reflection electron microscopy for investigation of surface processes on Bi2Se3(0001)

Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Kurus, N. N., Basalaeva, L. S., Kokh, K. A., Milekhin, A. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 13 сент. 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 1984, 1, 012016.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

In situ reflection electron microscopy for the surface processes analysis during sublimation and epitaxial growth of layered metal chalcogenides

Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Zakhozhev, K. E., Nasimov, D. A., Kurus, N. N., Gutakovskii, A. K., Kokh, K. A., Milekhin, A. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 2024, в: Modern Electronic Materials. 10, 4, стр. 251-261 11 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

In situ tuning of symmetry-breaking-induced nonreciprocity in the giant-Rashba semiconductor BiTeBr

Kocsis, M., Zheliuk, O., Makk, P., Tóvári, E., Kun, P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Taniguchi, T., Watanabe, K., Ye, J. & Csonka, S., сент. 2021, в: Physical Review Research. 3, 3, 033253.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Interaction between Electrons and Dipole Excitons in Two-Dimensional Systems (Scientific Summary)

Kalameitsev, A. V., Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 июн. 2019, в: JETP Letters. 109, 12, стр. 806-815 10 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Interaction-dominated transport in two-dimensional conductors: From degenerate to partially degenerate regime

Gusev, G. M., Levin, A. D., Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D., Kovalev, V. M., Entin, M. V. & Mikhailov, N. N., 25 апр. 2024, в: Physical Review B. 109, 3, 035302.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Interaction of Ge(Si) Self-Assembled Nanoislands with Different Modes of Two-Dimensional Photonic Crystal

Stepikhova, M. V., Dyakov, S. A., Peretokin, A. V., Shaleev, M. V., Rodyakina, E. E. & Novikov, A. V., авг. 2022, в: Nanomaterials. 12, 15, 2687.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Interaction of Rayleigh waves with 2D dipolar exciton gas: Impact of Bose-Einstein condensation

Boev, M. V., Chaplik, A. V. & Kovalev, V. M., 6 дек. 2017, в: Journal Physics D: Applied Physics. 50, 48, 7 стр., 484002.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Interdisk spacing effect on resonant properties of Ge disk lattices on Si substrates

Shklyaev, A. A., Utkin, D. E., Tsarev, A. V., Kuznetsov, S. A., Anikin, K. V. & Latyshev, A. V., дек. 2022, в: Scientific Reports. 12, 1, 8123.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Interfacing two-dimensional and magnetic topological insulators: Bi bilayer on MnBi2Te4-family materials

Klimovskikh, I. I., Eremeev, S. V., Estyunin, D. A., Filnov, S. O., Shimada, K., Golyashov, V. A., Solovova, N. Y., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Frolov, A. S., Sergeev, A. I., Stolyarov, V. S., Trontl, V. M., Petaccia, L., Di Santo, G., Tallarida, M., Dai, J., Blanco-Canosa, S., Valla, T., Shikin, A. M., еще 1Chulkov, E. V., авг. 2024, в: Materials Today Advances. 23, 9 стр., 100511.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование