411 - 420 из 443Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2024

  2. Resonant Raman scattering on graphene: SERS and gap-mode TERS

    Kurus, N. N., Kalinin, V., Nebogatikova, N. A., Milekhin, I. A., Antonova, I. V., Rodyakina, E. E., Milekhin, A. G., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 23 янв. 2024, в: RSC Advances. 14, 6, стр. 3667-3674 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Impact of lanthanum doping on the electronic structure of oxygen vacancies in hafnium oxide

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 30 янв. 2024, в: Computational Materials Science. 233, 5 стр., 112708.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Weak Antilocalization in a Strongly Disordered Two-Dimensional Semimetal in an HgTe Quantum Well

    Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D. & Mikhailov, N. N., февр. 2024, в: Semiconductors. 58, 2, стр. 155-162 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Giant microwave photoconductance of short channel MOSFETs

    Jaroshevich, A. S., Kvon, Z. D., Tkachenko, V. A., Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Antonov, V. A. & Popov, V. P., 5 февр. 2024, в: Applied Physics Letters. 124, 6, 063501.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Electron and hole bipolar injection in magnesium oxide films

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Gismatulin, A. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Gorshkov, D. V. & Gritsenko, V. A., 6 февр. 2024, в: Applied Physics Letters. 124, 4, 042903.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. High-temperature indium adsorption on Bi2Se3(0001) surface studied by in situ reflection electron microscopy

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Nasimov, D. A., Kokh, K. A., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 15 февр. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 628, 127545.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Luminescent Properties of Ordered Arrays of Silicon Disk-Like Resonators with Embedded GeSi Quantum Dots

    Smagina, Z. V., Stepikhova, M. V., Zinovyev, V. A., Dyakov, S. A., Rodyakina, E. E., Shengurov, D. V., Kacyuba, A. V. & Novikov, A. V., 15 февр. 2024, в: Semiconductors. 58, 2, стр. 180-186 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Photogalvanic effect induced by intervalley relaxation in a strained two-dimensional Dirac monolayer

    Snegirev, A. V., Kovalev, V. M. & Entin, M. V., 15 февр. 2024, в: Physical Review B. 109, 8, 085422.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Sn-mediated transformations on Si(111) surface: reconstructions, electromigration, homoepitaxy

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Vergules, A. I., Mansurov, V. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., мар. 2024, в: Surface Science. 741, 13 стр., 122418.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Conductance Quantization Features in Multichannel Quantum Point Contacts

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Shevyrin, A. A., Zhdanov, E. Y. & Bakarov, A. K., 1 мар. 2024, в: JETP Letters. 119, 5, стр. 380-388 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...38 39 40 41 42 43 44 45 Далее

ID: 3084764