181 - 200 из 218Размер страницы: 20
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2017

  2. Simultaneous Localization and Mapping System on the Basis of a CoreSLAM Approach

    Baramiya, D. A., D’yakov, M. S., Kuzikovskii, S. A. & Lavrentyev, M. M., 1 нояб. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 6, стр. 599-603 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Plasmon polariton enhanced mid-infrared photodetectors based on Ge quantum dots in Si

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Bloshkin, A. A., Armbrister, V. A. & Dvurechenskii, A. V., 7 окт. 2017, в: Journal of Applied Physics. 122, 13, 7 стр., 133101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Formation and study of p–i–n structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the i-type region

    Krivyakin, G. K., Volodin, V. A., Shklyaev, A. A., Mortet, V., More-Chevalier, J., Ashcheulov, P., Remes, Z., Stuchliková, T. H. & Stuchlik, J., 1 окт. 2017, в: Semiconductors. 51, 10, стр. 1370-1376 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Experimental study of ionic liquid-water flow in T-shaped microchannels with different aspect ratios

    Yagodnitsyna, A. A., Kovalev, A. V. & Bilsky, A. V., 27 сент. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 899, 3, 6 стр., 032026.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Photoemission and Injection Properties of a Vacuum Photodiode with Two Negative-Electron-Affinity Semiconductor Electrodes

    Rodionov, A. A., Golyashov, V. A., Chistokhin, I. B., Jaroshevich, A. S., Derebezov, I. A., Haisler, V. A., Shamirzaev, T. S., Marakhovka, I. I., Kopotilov, A. V., Kislykh, N. V., Mironov, A. V., Aksenov, V. V. & Tereshchenko, O. E., 26 сент. 2017, в: Physical Review Applied. 8, 3, 8 стр., 034026.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Stress-induced indirect to direct band gap transition in β -FeSi2 nanocrystals embedded in Si

    Shevlyagin, A. V., Goroshko, D. L., Chusovitin, E. A., Balagan, S. A., Dotsenko, S. A., Galkin, K. N., Galkin, N. G., Shamirzaev, T. S., Gutakovskii, A. K., Iinuma, M. & Terai, Y., 14 сент. 2017, Proceedings of International Conference on Metamaterials and Nanophotonics, METANANO 2017. American Institute of Physics Inc., Том 1874. 5 стр. 030007. (AIP Conference Proceedings; том 1874).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  8. Determining the structure of energy in heterostructures with diffuse interfaces

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 81, 9, стр. 1052-1057 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Putyato, M. A., Emelyanov, E. A., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1233-1239 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Numerical and experimental study of the slug-flow regime in a mixture of castor and paraffin oils in a T-type microchannel

    Minakov, A. V., Shebeleva, A. A., Yagodnitsyna, A. A., Kovalev, A. V. & Bilsky, A. V., 1 сент. 2017, в: Technical Physics Letters. 43, 9, стр. 857-859 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO2 thin films

    Tyschenko, I. E., Cherkov, A. G., Volodin, V. A. & Voelskow, M., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1240-1246 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Leakage currents mechanism in thin films of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

    Islamov, D. R., Chernikova, A. G., Kozodaev, M. G., Markeev, A. M., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A. & Orlov, O. M., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  13. Mechanism of charge transport of stress induced leakage current and trap nature in thermal oxide on silicon

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Orlov, O. M. & Krasnikov, G. Y., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  14. Oxygen polyvacancy in anatas as a filament: First principle investigation

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012084.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  15. Light-emitting Si nanostructures formed by swift heavy ions in a-Si:H/SiO2 multilayer heterostructures

    Cherkova, S. G., Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Antonenko, A. K., Kamaev, G. N. & Skuratov, V. A., 1 авг. 2017, в: Materials Research Express. 4, 8, 7 стр., 085001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Ge nanocrystals formed by furnace annealing of Ge(x)[SiO2](1-x) films: Structure and optical properties

    Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Antonenko, A. K., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 1 июл. 2017, в: Materials Research Express. 4, 7, 9 стр., 075010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. Synthesis of basic bismuth(III) oxalate by precipitation from nitrate solutions

    Timakova, E. V., Afonina, L. I., Bulina, N. V., Shatskaya, S. S., Yukhin, Y. M. & Volodin, V. A., 1 июл. 2017, в: Russian Journal of Applied Chemistry. 90, 7, стр. 1040-1046 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  18. Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO2

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 275-278 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 104-107 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs, О) with positive and negative electron affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 1 мая 2017, в: JETP Letters. 105, 10, стр. 686-690 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. A room-temperature-operated Si LED with β-FeSi2 nanocrystals in the active layer: μW emission power at 1.5 μm

    Shevlyagin, A. V., Goroshko, D. L., Chusovitin, E. A., Balagan, S. A., Dotcenko, S. A., Galkin, K. N., Galkin, N. G., Shamirzaev, T. S., Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V., Iinuma, M. & Terai, Y., 21 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 11, 9 стр., 113101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...6 7 8 9 10 11 Далее

ID: 3087404