Conduction mechanisms of TaN/HfO _x /Ni memristors

Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K. & Islamov, D. R., 5 апр. 2019, в: Materials Research Express. 6, 7, 7 стр., 076411.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Crystallization of Amorphous Germanium Films and Multilayer a-Ge/a-Si Structures upon Exposure to Nanosecond Laser Radiation

Volodin, V. A., Krivyakin, G. K., Ivlev, G. D., Prokopyev, S. L., Gusakova, S. V. & Popov, A. A., 1 мар. 2019, в: Semiconductors. 53, 3, стр. 400-405 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Crystallization of submicron amorphous hydrogenated silicon films with different hydrogen concentration by nanosecond ruby laser irradiation

Krivyakin, G. K., Kamaev, G. N., Ivlev, G. D., Prakopyeu, S. L. & Volodin, V. A., 1 февр. 2019, в: Journal of Laser Applications. 31, 1, 5 стр., 012006.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Deep reinforcement learning for self-tuning laser source of dissipative solitons

Kuprikov, E., Kokhanovskiy, A., Serebrennikov, K. & Turitsyn, S., дек. 2022, в: Scientific Reports. 12, 1, 7185.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Detection of suspicious objects on the basis of analysis of human X-ray images

Svitov, D. V., Kulikov, V. A. & Kosykh, V. P., 1 мар. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 2, стр. 159-164 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Determination of the transition boundary between segmented and continuous flow patterns in microfluidic liquid-liquid flows using dimensional analysis

Kovalev, A. V., Yagodnitsyna, A. A. & Bilsky, A. V., нояб. 2021, в: Thermophysics and Aeromechanics. 28, 6, стр. 827-833 7 стр., 7.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques

Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 104-107 4 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Determining the structure of energy in heterostructures with diffuse interfaces

Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 81, 9, стр. 1052-1057 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Dislocation Filter Based on LT-GaAs Layers for Monolithic GaAs/Si Integration

Petrushkov, M. O., Abramkin, D. S., Emelyanov, E. A., Putyato, M. A., Komkov, O. S., Firsov, D. D., Vasev, A. V., Yesin, M. Y., Bakarov, A. K., Loshkarev, I. D., Gutakovskii, A. K., Atuchin, V. V. & Preobrazhenskii, V. V., 14 дек. 2022, в: Nanomaterials. 12, 24, 4449.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Dynamics of Vacancy Formation and Distribution in Semiconductor Heterostructures: Effect of Thermally Generated Intrinsic Electrons

Shamirzaev, T. S., Atuchin, V. V., Zhilitskiy, V. E. & Gornov, A. Y., 11 янв. 2023, в: Nanomaterials. 13, 2, 308.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование