181 - 190 из 229Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2017

  2. Strain in Ultrathin SiGeSn Layers in a Silicon Matrix

    Gutakovskii, A. K. & Talochkin, A. B., 1 дек. 2017, в: JETP Letters. 106, 12, стр. 780-784 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Temperature dependence of unwinding forces between complementary oligonucleotides

    Dultsev, F. N. & Kurus, N. N., 1 дек. 2017, в: Journal of Microbiological Methods. 143, стр. 94-97 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Sn – Induced decomposition of SiGeSn alloys grown on Si by molecular-beam epitaxy

    Talochkin, A. B., Timofeev, V. A., Gutakovskii, A. K. & Mashanov, V. I., 15 нояб. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 478, стр. 205-211 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Stimulated emission from HgCdTe quantum well heterostructures at wavelengths up to 19.5 μ m

    Morozov, S. V., Rumyantsev, V. V., Fadeev, M. A., Zholudev, M. S., Kudryavtsev, K. E., Antonov, A. V., Kadykov, A. M., Dubinov, A. A., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Gavrilenko, V. I., 6 нояб. 2017, в: Applied Physics Letters. 111, 19, 5 стр., 192101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Mechanism of С-Н cyclization of alkynylanthraquinones into thienoanthraquinones with the participation of sodium sulfide

    Fedenok, L., Dultsev, F., Barabanov, I. & Polyakov, N., 2 нояб. 2017, в: Tetrahedron. 73, 44, стр. 6334-6340 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Edge states on the curved boundary of a 2D topological insulator

    Entin, M. V. & Magarill, L. I., 1 нояб. 2017, в: Europhysics Letters. 120, 3, 5 стр., 37003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Polarization Pyrometry of Layered Semiconductor Structures under Conditions of Low-Temperature Technological Processes

    Azarov, I. A., Shvets, V. A., Dulin, S. A., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A., Ikusov, D. G., Uzhakov, I. N. & Rykhlitskii, S. V., 1 нояб. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 6, стр. 630-638 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Band structure of a two-dimensional Dirac semimetal from cyclotron resonance

    Shuvaev, A. M., Dziom, V., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Shao, Y., Basov, D. N. & Pimenov, A., 12 окт. 2017, в: Physical Review B. 96, 15, 7 стр., 155434.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Exact solution for many-body Hamiltonian of interacting particles with linear spectrum

    Entin, M. V. & Braginsky, L., 1 окт. 2017, в: Europhysics Letters. 120, 1, 5 стр., 17003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Polaron in an electron–exciton structure under the conditions of the Bose–Einstein condensation

    Kalameitsev, A. V. & Chaplik, A. V., 1 окт. 2017, в: JETP Letters. 106, 8, стр. 522-525 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...15 16 17 18 19 20 21 22 23 Далее

ID: 3083697