Mobility of the Two-Dimensional Electron Gas in DA-pHEMT Heterostructures with Various δ–n-Layer Profile Widths › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/S1063782618010189
Конечная издательская версия

D. Yu Protasov
A. K. Bakarov
A. I. Toropov
B. Ya Ber
D. Yu Kazantsev
K. S. Zhuravlev

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	44-52
Число страниц	9
Журнал	Semiconductors
Том	52
Номер выпуска	1
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063782618010189
Состояние	Опубликовано - 1 янв. 2018

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 10422986