1. статья › научная › Прошло рецензирование
  2. Edge state magnetoresistance of a two-dimensional topological insulator

    Braginsky, L. S. & Entin, M. V., мая 2021, в: EPL. 134, 3, 37001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Edge States and Capacitance of a 2D Topological Insulator

    Braginsky, L. S. & Entin, M. V., 1 июн. 2019, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 256, 6, 4 стр., 1800675.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Edge states in lateral p-n junctions in inverted-band HgTe quantum wells

    Piatrusha, S. U., Khrapai, V. S., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Tikhonov, E. S., 20 дек. 2017, в: Physical Review B. 96, 24, 10 стр., 245417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Edge states on the curved boundary of a 2D topological insulator

    Entin, M. V. & Magarill, L. I., 1 нояб. 2017, в: Europhysics Letters. 120, 3, 5 стр., 37003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Effect of Features of the Band Spectrum on the Characteristics of Stimulated Emission in Narrow-Gap Heterostructures with HgCdTe Quantum Wells

    Rumyantsev, V. V., Kulikov, N. S., Kadykov, A. M., Fadeev, M. A., Ikonnikov, A. V., Kazakov, A. S., Zholudev, M. S., Aleshkin, V. Y., Utochkin, V. V., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A., Morozov, S. V. & Gavrilenko, V. I., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1375-1379 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Effect of oxygen vacancies on the ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 stabilization: DFT simulation

    Islamov, D. R. & Perevalov, T. V., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 4 стр., 111041.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Effect of terminal methyl groups concentration on properties of organosilicate glass low dielectric constant films

    Liu, C., Qi, Q., Seregin, D. S., Vishnevskiy, A. S., Wang, Y., Wei, S., Zhang, J., Vorotilov, K. A., Dultsev, F. N. & Baklanov, M. R., 1 июл. 2018, в: Japanese Journal of Applied Physics. 57, 7, 7 стр., 07MC01.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Effect of the relief on the measurement of bond rupture force with the help of AFM: The dynamics of interaction and optimization of the procedure

    Kurus, N. N., Dultsev, F. N., Shevelev, G., Lomzov, A. A. & Pyshnyi, D. V., 28 июл. 2018, в: Analytical Methods. 10, 28, стр. 3498-3505 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Electrical control of spin relaxation anisotropy during drift transport in a two-dimensional electron gas

    Hernandez, F. G. G., Ferreira, G. J., Luengo-Kovac, M., Sih, V., Kawahala, N. M., Gusev, G. M. & Bakarov, A. K., сент. 2020, в: Physical Review B. 102, 12, 7 стр., 125305.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Electron Effective Mass and g Factor in Wide HgTe Quantum Wells

    Gudina, S. V., Neverov, V. N., Ilchenko, E. V., Bogolubskii, A. S., Harus, G. I., Shelushinina, N. G., Podgornykh, S. M., Yakunin, M. V., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 янв. 2018, в: Semiconductors. 52, 1, стр. 12-18 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3083697