191 - 200 из 229Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Temperature-driven single-valley Dirac fermions in HgTe quantum wells

    Marcinkiewicz, M., Ruffenach, S., Krishtopenko, S. S., Kadykov, A. M., Consejo, C., But, D. B., Desrat, W., Knap, W., Torres, J., Ikonnikov, A. V., Spirin, K. E., Morozov, S. V., Gavrilenko, V. I., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A. & Teppe, F., 5 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 3, 5 стр., 035405.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Temperature-Induced Topological Phase Transition in HgTe Quantum Wells

    Kadykov, A. M., Krishtopenko, S. S., Jouault, B., Desrat, W., Knap, W., Ruffenach, S., Consejo, C., Torres, J., Morozov, S. V., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A. & Teppe, F., 22 февр. 2018, в: Physical Review Letters. 120, 8, 5 стр., 086401.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Terahertz Cyclotron Photoconductivity in a Highly Unbalanced Two-Dimensional Electron–Hole System

    Savchenko, M. L., Kvon, Z. D., Candussio, S., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A. & Ganichev, S. D., 1 авг. 2018, в: JETP Letters. 108, 4, стр. 247-252 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Terahertz photoconductivity of double acceptors in narrow gap HgCdTe epitaxial films grown by molecular beam epitaxy on GaAs(013) and Si(013) substrates

    Rumyantsev, V. V., Kozlov, D. V., Morozov, S. V., Fadeev, M. A., Kadykov, A. M., Teppe, F., Varavin, V. S., Yakushev, M. V., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A. & Gavrilenko, V. I., 16 авг. 2017, в: Semiconductor Science and Technology. 32, 9, 9 стр., 095007.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Terahertz Photoluminescence of Double Acceptors in Bulky Epitaxial HgCdTe Layers and HgTe/CdHgTe Structures with Quantum Wells

    Kozlov, D. V., Rumyantsev, V. V., Morozov, S. V., Kadykov, A. M., Fadeev, M. A., Zholudev, M. S., Varavin, V. S., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A., Gavrilenko, V. I. & Teppe, F., 1 дек. 2018, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 127, 6, стр. 1125-1129 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Terahertz photoresistivity of a high-mobility 3D topological insulator based on a strained HgTe film

    Savchenko, M. L., Otteneder, M., Dmitriev, I. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D. & Ganichev, S. D., 16 нояб. 2020, в: Applied Physics Letters. 117, 20, 201103.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Terahertz properties of Dirac fermions in HgTe films with optical doping

    Dziom, V., Shuvaev, A., Mikhailov, N. N. & Pimenov, A., 1 июн. 2017, в: 2D Materials. 4, 2, 8 стр., 024005.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Terahertz resistive response of a two-dimensional topological insulator in a quasiballistic transport regime

    Kvon, Z. D., Dantscher, K. -M., Scherr, M. -T., Yaroshevich, A. S. & Mikhailov, N. N., 1 нояб. 2016, в: JETP Letters. 104, 10, стр. 716-720 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. The deformation-potential scattering and alloy disorder scattering in donor-acceptor pHEMT heterostructures

    Yu Protasov, D., Bakarov, A. K., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., 18 февр. 2019, в: IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 475, 1, 012033.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  10. The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Aliev, V. S., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Chin, A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 493-504 12 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

Назад 1...16 17 18 19 20 21 22 23 Далее

ID: 3083697