Terahertz photoresistivity of a high-mobility 3D topological insulator based on a strained HgTe film › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1063/5.0025745
Конечная издательская версия

M. L. Savchenko
M. Otteneder
I. A. Dmitriev
N. N. Mikhailov
Z. D. Kvon
S. D. Ganichev

Язык оригинала	английский
Номер статьи	201103
Журнал	Applied Physics Letters
Том	117
Номер выпуска	20
DOI	https://doi.org/10.1063/5.0025745
Состояние	Опубликовано - 16 нояб. 2020

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 26140883