141 - 160 из 188Размер страницы: 20
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2019

  2. New graphene derivative with: N -methylpyrrolidone: Suspension, structural, optical and electrical properties

    Yakimchuk, E., Volodin, V. & Antonova, I., 21 июн. 2019, в: Physical Chemistry Chemical Physics. 21, 23, стр. 12494-12504 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Memristor effect in GeO[SiO2] and GeO[SiO] solid alloys films

    Volodin, V. A., Kamaev, G. N., Gritsenko, V. A., Gismatulin, A. A., Chin, A. & Vergnat, M., 10 июн. 2019, в: Applied Physics Letters. 114, 23, 5 стр., 233104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Silicon Nanocrystals and Amorphous Nanoclusters in SiOx and SiNx: Atomic, Electronic Structure, and Memristor Effects

    Володин, В. А., Гриценко, В. А., Гисматулин, А. А. & Chin, A., 8 июн. 2019, Nanocrystalline Materials. IntechOpen, стр. 1-23 23 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  5. About the nature of the barrier inhomogeneities at Au/Ti/n-InAlAs(001) Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Chistokhin, I. B., Dmitriev, D. V., Kozhukhov, A. S. & Zhuravlev, K. S., 3 июн. 2019, в: Applied Physics Letters. 114, 22, 5 стр., 221602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Donor-acceptor pair emission via defects with strong electron-phonon coupling in heavily doped AlxGa1-xN:Si layers with Al content x > 0.5

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Milakhin, D. S., Plyusnin, V. F. & Zhuravlev, K. S., 1 июн. 2019, в: Japanese Journal of Applied Physics. 58, SC, 7 стр., 27.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Electron-Stimulated Aluminum Nitride Crystalline Phase Formation on the Sapphire Surface

    Milakhin, D., Malin, T., Mansurov, V., Galitsyn, Y. & Zhuravlev, K., 1 июн. 2019, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 256, 6, 5 стр., 1800516.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Optical properties and charge transport of textured Sc2O3 thin films obtained by atomic layer deposition

    Lebedev, M. S., Kruchinin, V. N., Afonin, M. Y., Korolkov, I. V., Saraev, A. A., Gismatulin, A. A. & Gritsenko, V. A., 1 июн. 2019, в: Applied Surface Science. 478, стр. 690-698 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. High-power microwave photodiodes with Schottky contact based on InAlAs/InGaAs/InP heteroepitaxial structures

    Zhuravlev, K. S., Valisheva, N. A., Aksenov, M. S., Dmitriev, D. D., Toropov, A. I., Chistokhin, I. B., Gilinsky, A. M., Protasov, D. Y., Malyshev, S. A., Chizh, A. L. & Mikitchuk, K. B., 1 мая 2019, 2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2 стр. 8803902. (2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  10. The DA-pHEMT heterostructures for power microwave transistors

    Zhuravlev, K. S., Protasov, D. Y., Gulyaev, D. V., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., Lapin, V. G., Lukashin, V. M. & Pashkovskii, A. B., 1 мая 2019, 2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 3 стр. 8804008. (2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  11. The role of a plasmonic substrate on the enhancement and spatial resolution of tip-enhanced Raman scattering

    Rahaman, M., Milekhin, A. G., Mukherjee, A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 1 мая 2019, в: Faraday Discussions. 214, стр. 309-323 15 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. All Nonmetal Resistive Random Access Memory

    Yen, T. J., Gismatulin, A., Volodin, V., Gritsenko, V. & Chin, A., 16 апр. 2019, в: Scientific Reports. 9, 1, стр. 6144 5 стр., 6144.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Mechanism of stress induced leakage current in Si 3 N 4

    Gritsenko, V. A., Gismatulin, A. A., Baraban, A. P. & Chin, A., 3 апр. 2019, в: Materials Research Express. 6, 7, 6 стр., 076401.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Resistive switching effects in fluorinated graphene films with graphene quantum dots enhanced by polyvinyl alcohol

    Ivanov, A. I., Nebogatikova, N. A., Kotin, I. A., Smagulova, S. A. & Antonova, I. V., 2 апр. 2019, в: Nanotechnology. 30, 25, стр. 255701 12 стр., 255701.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Bimetallic Mixed-Ligand Cobalt(II), Nickel(II), and Copper(II) Complexes [MHg(C6H6N2O)2(SCN)4]: Synthesis and Crystal Structure

    Cherkasova, T. G., Pervukhina, N. V., Kurateva, N. V., Barantsev, D. A., Tatarinova, E. S. & Cherkasova, E. V., 1 апр. 2019, в: Russian Journal of Inorganic Chemistry. 64, 4, стр. 459-464 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Crystallographic Analysis of the Genesis of the Structure Symmetry of Acid Sulfates M 3 H(SO 4 ) 2 (M = K, NH 4 )

    Borisov, S. V., Pervukhina, N. V. & Magarill, S. A., 1 апр. 2019, в: Journal of Structural Chemistry. 60, 4, стр. 602-608 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. Atomic and electronic structure of ferroelectric La-doped HfO2 films

    Perevalov, T. V., Gutakovskii, A. K., Kruchinin, V. N., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 1 мар. 2019, в: Materials Research Express. 6, 3, 7 стр., 036403.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  18. Double Complex Salts [Ln(C 6 H 5 NO 2 ) 3 (H 2 O) 2 ][Cr(NCS) 6 ] · 2H 2 O (Ln = Lu, Ce, Y): Synthesis and Crystal Structure

    Cherkasova, E. V., Pervukhina, N. V., Kuratieva, N. V. & Cherkasova, T. G., 1 мар. 2019, в: Russian Journal of Inorganic Chemistry. 64, 3, стр. 329-334 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Identification of the nature of traps involved in the field cycling of Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric thin films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Pustovarov, V. A., Orlov, O. M., Chernikova, A. G., Markeev, A. M., Slesazeck, S., Schroeder, U., Mikolajick, T. & Krasnikov, G. Y., 1 мар. 2019, в: Acta Materialia. 166, стр. 47-55 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Multiphonon trap ionization transport in nonstoichiometric SiNx

    Gritsenko, V. A., Gismatulin, A. A. & Chin, A., 1 мар. 2019, в: Materials Research Express. 6, 3, 9 стр., 036304.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. Fluorinated graphene suspension for flexible and printed electronics: Flakes, 2D films, and heterostructures

    Antonova, I. V., Kurkina, I. I., Gutakovskii, A. K., Kotin, I. A., Ivanov, A. I., Nebogatikova, N. A., Soots, R. A. & Smagulova, S. A., 15 февр. 2019, в: Materials and Design. 164, 11 стр., 107526.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...4 5 6 7 8 9 10 Далее

ID: 19061863