181 - 190 из 190Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2019

  2. The reentrant four-layer quasi-elliptic bandstop filter

    Atuchin, V. V., Gorbachev, A. P., Khrustalev, V. A. & Tarasenko, N. V., 1 янв. 2019, в: Electronics (Switzerland). 8, 1, 20 стр., 81.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT

    Malin, T. V., Milakhin, D. S., Aleksandrov, I. A., Zemlyakov, V. E., Protasov, D. Y., Kozhuhov, A. S., Ber, B. Y., Mansurov, V. G. & Журавлев, К. С., 2019, в: Электроника и микроэлектроника СВЧ». 1, 1, стр. 44-48 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › тезисы › Рецензирование

  4. 2018

  5. Modified Optical Scheme for a Silicon Electro-Optical Modulator with a Grating Coupling Element

    Tsarev, A. V. & Taziev, R. M., 26 нояб. 2018, 2018 14th International Scientific-Technical Conference on Actual Problems of Electronic Instrument Engineering, APEIE 2018 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 306-308 3 стр. 8545539. (2018 14th International Scientific-Technical Conference on Actual Problems of Electronic Instrument Engineering, APEIE 2018 - Proceedings).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  6. Negative Differential Resistance Observation and a New Fitting Model for Electron Drift Velocity in GaN-Based Heterostructures

    Atmaca, G., Narin, P., Kutlu, E., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Zhuravlev, K. S., Lisesivdin, S. B. & Ozbay, E., мар. 2018, в: IEEE Transactions on Electron Devices. 65, 3, стр. 950-956 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Giant gap-plasmon tip-enhanced Raman scattering of MoS2 monolayers on Au nanocluster arrays

    Milekhin, A. G., Rahaman, M., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 14 февр. 2018, в: Nanoscale. 10, 6, стр. 2755-2763 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. 2017

  9. Controllable electronic transformer based on the resonance structure with switching capacitor for low-rise buildings residential area power supply stabilization systems

    Zotov, L. G., Razinkin, V. P. & Atuchin, V. V., 1 окт. 2017, в: International Journal of Electrical Power and Energy Systems. 91, стр. 117-120 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Spectroscopy of Vibrational States in Low-Dimensional Semiconductor Systems

    Milekhin, A. G. & Zahn, D. R. T., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 157-186 30 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  11. Surface Morphologies Obtained by Ge Deposition on Bare and Oxidized Silicon Surfaces at Different Temperatures

    Shklyaev, A. A., Romanyuk, K. N., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 325-344 20 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  12. The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Aliev, V. S., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Chin, A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 493-504 12 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  13. 2011

  14. Технология получения высокоупорядоченной ступенчатой поверхности Si (111) -7x7

    Романюк, К. Н. & Шкляев, А. А., 25 нояб. 2011, Новосибирский государственный университет, Патент/Св-во № 6, Дата приоритета 22 нояб. 2011

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрации › свидетельство о регистрации ноу-хау

Назад 1...15 16 17 18 19 Далее

ID: 19061863