Negative Differential Resistance Observation and a New Fitting Model for Electron Drift Velocity in GaN-Based Heterostructures

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	950-956
Число страниц	7
Журнал	IEEE Transactions on Electron Devices
Том	65
Номер выпуска	3
DOI	https://doi.org/10.1109/TED.2018.2796501
Состояние	Опубликовано - мар. 2018

ID: 41276054