21 - 40 из 188Размер страницы: 20
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2021

  2. High-Power Microwave Photodiodes Based on MBE-Grown InAlAs/InGaAs Heterostructures

    Zhuravlev, K. S., Gilinskii, A. M., Chistokhin, I. B., Valisheva, N. A., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Aksenov, M. S., Chizh, A. L. & Mikitchuk, K. B., сент. 2021, в: Technical Physics. 66, 9, стр. 1072-1077 6 стр., 34.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Light Emission by Monolayers of Molybdenum Disulfide

    Marchenko, A. V., Kurus, N. N., Kolosvetov, A. A. & Milekhin, A. G., сент. 2021, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57, 5, стр. 532-538 7 стр., 12.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Transformation of the InP(001) surface upon annealing in an arsenic flux

    Dmitriev, D. V., Kolosovsky, D. A., Gavrilova, T. A., Gutakovskii, A. K., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., авг. 2021, в: Surface Science. 710, 121861.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. InAs Islands Formation on the InP(001) during High-Temperature Annealing in an As Flux

    Kolosovsky, D., Dmitriev, D., Gavrilova, T., Toropov, A., Kozhukhov, A. & Zhuravlev, K., 30 июн. 2021, 2021 IEEE 22nd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2021 - Proceedings. IEEE Computer Society, стр. 17-21 5 стр. 9507627. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2021-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  6. Bipolar conductivity in ferroelectric La:HfZrO films

    Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Gritsenko, V. A., Prosvirin, I. P., Mehmood, F., Mikolajick, T. & Schroeder, U., 28 июн. 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 26, 262903.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Negative thermal expansion in one-dimension of a new double sulfate AgHo(SO4)2 with isolated SO4 tetrahedra

    Denisenko, Y. G., Atuchin, V. V., Molokeev, M. S., Wang, N., Jiang, X., Aleksandrovsky, A. S., Krylov, A. S., Oreshonkov, A. S., Sedykh, A. E., Volkova, S. S., Lin, Z., Andreev, O. V. & Müller-Buschbaum, K., 20 июн. 2021, в: Journal of Materials Science and Technology. 76, стр. 111-121 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Atomic Structure and Optical Properties of Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposited SiCOH Low-k Dielectric Film

    Kruchinin, V. N., Volodin, V. A., Rykhlitskii, S. V., Gritsenko, V. A., Posvirin, I. P., Shi, X. & Baklanov, M. R., июн. 2021, в: Optics and Spectroscopy. 129, 6, стр. 645-651 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Improved device distribution in high-performance sinx resistive random access memory via arsenic ion implantation

    Yen, T. J., Chin, A. & Gritsenko, V., июн. 2021, в: Nanomaterials. 11, 6, 1401.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. The effect of barrier layers on 2D electron effective mass in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures

    Sonmez, F., Ardali, S., Lisesivdin, S. B., Malin, T., Mansurov, V., Zhuravlev, K. & Tiras, E., июн. 2021, в: Journal of Physics Condensed Matter. 33, 25, 255501.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Growth of Bi2Se3/graphene heterostructures with the room temperature high carrier mobility

    Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Stepina, N. P., Volodin, V. A., Kirienko, V. V., Rybin, M. G., Obrazstova, E. D., Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., мая 2021, в: Journal of Materials Science. 56, 15, стр. 9330–9343 14 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Analysis of the AlN phase transition on a sapphire surface within a universal 2D lattice gas model in MBE

    Milakhin, D. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Galitsyn, Y. G. & Zhuravlev, K. S., 15 апр. 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 1851, 1, 012005.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  13. Peculiarities of the AlN crystalline phase formation in a result of the electron-stimulated reconstruction transition (√31×√31)R ± 9° − (1 × 1)

    Milakhin, D. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Galitsyn, Y. G., Kozhukhov, A. S., Utkin, D. E. & Zhuravlev, K. S., 1 мар. 2021, в: Applied Surface Science. 541, 148548.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Charge Transport Mechanism in Atomic Layer Deposited Oxygen-Deficient TaOx Films

    Gismatulin, A., Gritsenko, V., Perevalov, T., Kuzmichev, D., Chernikova, A. & Markeev, A., мар. 2021, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 258, 3, 6 стр., 2000432.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part II—Films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Aliev, V. S., Nadolinny, V. A. & Chin, A., мар. 2021, в: Materialia. 15, 100980.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part I—Crystals

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Yelisseyev, A. P., Pustovarov, V. A., Korolkov, I. V. & Lomonova, E. E., мар. 2021, в: Materialia. 15, 100979.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. AlSb/InAs Heterostructures for Microwave Transistors

    Sukhanov, M. A., Bakarov, A. K. & Zhuravlev, K. S., февр. 2021, в: Technical Physics Letters. 47, 2, стр. 139-142 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  18. Charge Transport Mechanism and Trap Origin in Methyl-Terminated Organosilicate Glass Low-κ Dielectrics

    Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Dolbak, A. E., Gritsenko, V. A., Trofimova, E. S., Pustovarov, V. A., Seregin, D. S., Vorotilov, K. A. & Baklanov, M. R., февр. 2021, в: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 218, 4, 7 стр., 2000654.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. The effect of passivation layer, doping and spacer layer on electron- longitudinal optical phonon momentum relaxation time in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures

    Sonmez, F., Ardali, S., Atmaca, G., Lisesivdin, S. B., Malin, T., Mansurov, V., Zhuravlev, K. & Tiras, E., февр. 2021, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 122, 8 стр., 105449.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on silicon nitride

    Gismatulin, A. A., Kamaev, G. N., Kruchinin, V. N., Gritsenko, V. A., Orlov, O. M. & Chin, A., 28 янв. 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, 2417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. Cu2ZnSnS4crystal growth using an SnCl2based flux

    Kokh, K. A., Atuchin, V. V., Adichtchev, S. V., Gavrilova, T. A., Bakhadur, A. M., Klimov, A. O., Korolkov, I. V., Kuratieva, N. V., Mukherjee, S., Pervukhina, N. V. & Surovtsev, N. V., 28 янв. 2021, в: CrystEngComm. 23, 4, стр. 1025-1032 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...10 Далее

ID: 19061863