Standard

Способ выращивания монокристаллов Ga2O3 из раствора в расплаве. / Галашов, Евгений Николаевич (Author); Галашов, Арсений Евгеньевич (Author); Московских, Виталий Анатольевич (Author).

Новосибирский государственный университет. Patent No.: 33. Dec 17, 2019.

Research output: Patent › Know-how registration

Harvard

Галашов, ЕН, Галашов, АЕ & Московских, ВА Dec. 17 2019, Способ выращивания монокристаллов Ga2O3 из раствора в расплаве, Patent No. 33.

APA

Галашов, Е. Н., Галашов, А. Е., & Московских, В. А. (2019). Способ выращивания монокристаллов Ga2O3 из раствора в расплаве. (Patent No. 33). Новосибирский государственный университет.

Vancouver

Галашов ЕН, Галашов АЕ, Московских ВА, inventors. Способ выращивания монокристаллов Ga2O3 из раствора в расплаве. 33. 2019 Dec 17.

Author

Галашов, Евгений Николаевич (Author) ; Галашов, Арсений Евгеньевич (Author) ; Московских, Виталий Анатольевич (Author). / Способ выращивания монокристаллов Ga2O3 из раствора в расплаве. Новосибирский государственный университет. Patent No.: 33. Dec 17, 2019.

BibTeX

@misc{00bb103137434479ba3017d42a7cb85c,
title = "Способ выращивания монокристаллов Ga2O3 из раствора в расплаве",
keywords = "РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ, РАСТВОР-РАСПЛАВНАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, ОКСИД ГАЛЛИЯ",
author = "Галашов, {Евгений Николаевич} and Галашов, {Арсений Евгеньевич} and Московских, {Виталий Анатольевич}",
year = "2019",
month = dec,
day = "17",
language = "русский",
publisher = "Новосибирский государственный университет",
address = "Российская Федерация",
type = "Patent",
note = "33",

}

RIS

TY - PAT

T1 - Способ выращивания монокристаллов Ga2O3 из раствора в расплаве

AU - Галашов, Евгений Николаевич

AU - Галашов, Арсений Евгеньевич

AU - Московских, Виталий Анатольевич

PY - 2019/12/17

Y1 - 2019/12/17

KW - РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

KW - РАСТВОР-РАСПЛАВНАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ

KW - ОКСИД ГАЛЛИЯ

M3 - свидетельство о регистрации ноу-хау

M1 - 33

PB - Новосибирский государственный университет

ER -

ID: 25775664