Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрации › свидетельство о регистрации ноу-хау
Способ выращивания монокристаллов Ga2O3 из раствора в расплаве. / Галашов, Евгений Николаевич (автор); Галашов, Арсений Евгеньевич (автор); Московских, Виталий Анатольевич (автор).
Новосибирский государственный университет. Номер патента: 33. дек. 17, 2019.Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрации › свидетельство о регистрации ноу-хау
}
TY - PAT
T1 - Способ выращивания монокристаллов Ga2O3 из раствора в расплаве
AU - Галашов, Евгений Николаевич
AU - Галашов, Арсений Евгеньевич
AU - Московских, Виталий Анатольевич
PY - 2019/12/17
Y1 - 2019/12/17
KW - РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ
KW - РАСТВОР-РАСПЛАВНАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ
KW - ОКСИД ГАЛЛИЯ
M3 - свидетельство о регистрации ноу-хау
M1 - 33
PB - Новосибирский государственный университет
ER -
ID: 25775664