Standard

Структура пьезоэлектрических пленок AIN, полученных методом магнетронного распыления на Si (100). / Богословцева, Алена Леонидовна; Гейдт, Павел Викторович.

2025. 22 Abstract from Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем».

Research output: Contribution to conference › Abstract

Harvard

Богословцева, АЛ & Гейдт, ПВ 2025, 'Структура пьезоэлектрических пленок AIN, полученных методом магнетронного распыления на Si (100)', Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», 29.10.2025 pp. 22.

APA

Богословцева, А. Л., & Гейдт, П. В. (2025). Структура пьезоэлектрических пленок AIN, полученных методом магнетронного распыления на Si (100). 22. Abstract from Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем».

Vancouver

Богословцева АЛ, Гейдт ПВ. Структура пьезоэлектрических пленок AIN, полученных методом магнетронного распыления на Si (100). 2025. Abstract from Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем».

Author

Богословцева, Алена Леонидовна ; Гейдт, Павел Викторович. / Структура пьезоэлектрических пленок AIN, полученных методом магнетронного распыления на Si (100). Abstract from Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем».

BibTeX

@conference{20966958d4724663b4af3731f57183b7,
title = "Структура пьезоэлектрических пленок AIN, полученных методом магнетронного распыления на Si (100)",
author = "Богословцева, {Алена Леонидовна} and Гейдт, {Павел Викторович}",
year = "2025",
language = "русский",
pages = "22",
note = "Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», АППН 2025 ; Conference date: 29-10-2025",

}

RIS

TY - CONF

T1 - Структура пьезоэлектрических пленок AIN, полученных методом магнетронного распыления на Si (100)

AU - Богословцева, Алена Леонидовна

AU - Гейдт, Павел Викторович

PY - 2025

Y1 - 2025

M3 - тезисы

SP - 22

T2 - Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем»

Y2 - 29 October 2025

ER -

ID: 72878900