Standard

Структура пьезоэлектрических пленок AIN, полученных методом магнетронного распыления на Si (100). / Богословцева, Алена Леонидовна; Гейдт, Павел Викторович.

2025. 22 Аннотация от Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем».

Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы

Harvard

Богословцева, АЛ & Гейдт, ПВ 2025, 'Структура пьезоэлектрических пленок AIN, полученных методом магнетронного распыления на Si (100)', Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», 29.10.2025 стр. 22.

APA

Богословцева, А. Л., & Гейдт, П. В. (2025). Структура пьезоэлектрических пленок AIN, полученных методом магнетронного распыления на Si (100). 22. Аннотация от Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем».

Vancouver

Богословцева АЛ, Гейдт ПВ. Структура пьезоэлектрических пленок AIN, полученных методом магнетронного распыления на Si (100). 2025. Аннотация от Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем».

Author

Богословцева, Алена Леонидовна ; Гейдт, Павел Викторович. / Структура пьезоэлектрических пленок AIN, полученных методом магнетронного распыления на Si (100). Аннотация от Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем».

BibTeX

@conference{20966958d4724663b4af3731f57183b7,
title = "Структура пьезоэлектрических пленок AIN, полученных методом магнетронного распыления на Si (100)",
author = "Богословцева, {Алена Леонидовна} and Гейдт, {Павел Викторович}",
year = "2025",
language = "русский",
pages = "22",
note = "Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», АППН 2025 ; Conference date: 29-10-2025",

}

RIS

TY - CONF

T1 - Структура пьезоэлектрических пленок AIN, полученных методом магнетронного распыления на Si (100)

AU - Богословцева, Алена Леонидовна

AU - Гейдт, Павел Викторович

PY - 2025

Y1 - 2025

M3 - тезисы

SP - 22

T2 - Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем»

Y2 - 29 October 2025

ER -

ID: 72878900