1. Технология получения высокоупорядоченной ступенчатой поверхности Si (111) -7x7

    Романюк, К. Н. & Шкляев, А. А., 25 Nov 2011, Редакционно-издательский центр НГУ, Patent No. 6, Priority date 22 Nov 2011

    Research output: PatentKnow-how registration

  2. Обзор интегрально-оптических сенсоров на кремнии - прогнозы и итоги десятилетия [Приглашённая статья]

    Царев, А. В., 31 Aug 2020, In: Автометрия. 56, 4, p. 111-133 23 p., 13.

    Research output: Contribution to journalReview articlepeer-review

  3. Новый тип оптического сенсора в структуре кремний на изоляторе

    Царев, А. В., 2021, Фотоника 2021: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) Новосибирск, 04-08 октября 2021 г.. Новосибирск: Издательство "Наука". Сибирское отделение, p. 63 1 p. 36. (ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ).

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contributionResearchpeer-review

  4. Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT

    Malin, T. V., Milakhin, D. S., Aleksandrov, I. A., Zemlyakov, V. E., Protasov, D. Y., Kozhuhov, A. S., Ber, B. Y., Mansurov, V. G. & Журавлев, К. С., 2019, In: Электроника и микроэлектроника СВЧ. 1, 1, p. 44-48 5 p.

    Research output: Contribution to journalMeeting Abstractpeer-review

  5. Vapor growth of Bi2Se3 and Bi2O2Se crystals on mica

    Kokh, K. A., Nebogatikova, N. A., Antonova, I. V., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Goldyreva, E. S., Stepina, N. P., Kirienko, V. V. & Tereshchenko, O. E., Sept 2020, In: Materials Research Bulletin. 129, 6 p., 110906.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  6. Universal building block for (1 1 0)-family silicon and germanium surfaces

    Zhachuk, R. A. & Shklyaev, A. A., 15 Nov 2019, In: Applied Surface Science. 494, p. 46-50 5 p.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  7. Undoped High-Resistance GaN Buffer Layer for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors

    Malin, T. V., Milakhin, D. S., Aleksandrov, I. A., Zemlyakov, V. E., Egorkin, V. I., Zaitsev, A. A., Protasov, D. Y., Kozhukhov, A. S., Ber, B. Y., Kazantsev, D. Y., Mansurov, V. G. & Zhuravlev, K. S., 1 Aug 2019, In: Technical Physics Letters. 45, 8, p. 761-764 4 p.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  8. Two-photon holographic recording in LiTaO3:Fe crystals with high intensity nanosecond pulses at 532 nm

    Steinberg, I. S. & Atuchin, V. V., 1 Oct 2020, In: Materials Chemistry and Physics. 253, 6 p., 122956.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  9. Transformation of the InP(001) surface upon annealing in an arsenic flux

    Dmitriev, D. V., Kolosovsky, D. A., Gavrilova, T. A., Gutakovskii, A. K., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., Aug 2021, In: Surface Science. 710, 121861.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  10. The role of a plasmonic substrate on the enhancement and spatial resolution of tip-enhanced Raman scattering

    Rahaman, M., Milekhin, A. G., Mukherjee, A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 1 May 2019, In: Faraday Discussions. 214, p. 309-323 15 p.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Previous 1 2 3 4 5 6 7 8 ...19 Next

ID: 19061863