Valence-band offsets in strained SiGeSn/Si layers with different tin contents › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/S1063782617030058
Конечная издательская версия

A. A. Bloshkin
A. I. Yakimov
V. A. Timofeev
A. R. Tuktamyshev
A. I. Nikiforov
V. V. Murashov

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	329-334
Число страниц	6
Журнал	Semiconductors
Том	51
Номер выпуска	3
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063782617030058
Состояние	Опубликовано - 1 мар. 2017

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 10064659