Undoped High-Resistance GaN Buffer Layer for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/S1063785019080108
Конечная издательская версия

T. V. Malin
D. S. Milakhin
I. A. Aleksandrov
V. E. Zemlyakov
V. I. Egorkin
A. A. Zaitsev
D. Yu Protasov
A. S. Kozhukhov
B. Ya Ber
D. Yu Kazantsev
V. G. Mansurov
K. S. Zhuravlev

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	761-764
Число страниц	4
Журнал	Technical Physics Letters
Том	45
Номер выпуска	8
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063785019080108
Состояние	Опубликовано - 1 авг. 2019

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 21464753