Sn – Induced decomposition of SiGeSn alloys grown on Si by molecular-beam epitaxy › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.09.005
Конечная издательская версия

A. B. Talochkin
V. A. Timofeev
A. K. Gutakovskii
V. I. Mashanov

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	205-211
Число страниц	7
Журнал	Journal of Crystal Growth
Том	478
DOI	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.09.005
Состояние	Опубликовано - 15 нояб. 2017

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 9869866