Diffusion-Controlled growth of Ge nanocrystals in SiO2 films under conditions of ion synthesis at high pressure › Обзор исследований

Исследовательский портал НГУ

Diffusion-Controlled growth of Ge nanocrystals in SiO₂ films under conditions of ion synthesis at high pressure

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

DOI

https://doi.org/10.1134/S1063782617100189
Конечная издательская версия

I. E. Tyschenko
A. G. Cherkov

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	1364-1369
Число страниц	6
Журнал	Semiconductors
Том	51
Номер выпуска	10
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063782617100189
Состояние	Опубликовано - 1 окт. 2017

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 12949280