DOI

  • I. E. Tyschenko
  • R. A. Khmelnitsky
  • V. V. Saraykin
  • V. A. Volodin
  • V. P. Popov
Переведенное названиеДиффузия германия из захороненного слоя SiO2 и формирование фазы SiGe
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)215-222
Число страниц8
ЖурналSemiconductors
Том56
Номер выпуска3
DOI
СостояниеОпубликовано - мар. 2022

    Предметные области OECD FOS+WOS

  • 2.05 ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

ID: 36166941