Automation of Growth Rate Measurements for AlN/GaN Heteroepitaxial Structures with a Two-Dimensional Electron Gas Grown Using Ammonia Molecular Beam Epitaxy

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Переведенное название	Автоматизация измерений скорости роста гетероэпитаксиальных структур AlN/GaN с двумерным электронным газом, выращиваемых методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	511-521
Число страниц	11
Журнал	Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing
Том	61
Номер выпуска	4
DOI	https://doi.org/10.3103/S8756699025700578
Состояние	Опубликовано - авг. 2025

A3-НИТРИДЫ, АММИАЧНАЯ МЛЭ, ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ALGAN/ALN/GAN, СКОРОСТЬ РОСТА, ФИЛЬТРАЦИЯ НА ОСНОВЕ БЫСТРОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ФУРЬЕ

ID: 72579182