Automation of Growth Rate Measurements for AlN/GaN Heteroepitaxial Structures with a Two-Dimensional Electron Gas Grown Using Ammonia Molecular Beam Epitaxy

Translated title of the contribution	Автоматизация измерений скорости роста гетероэпитаксиальных структур AlN/GaN с двумерным электронным газом, выращиваемых методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
Original language	English
Pages (from-to)	511-521
Number of pages	11
Journal	Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing
Volume	61
Issue number	4
DOIs	https://doi.org/10.3103/S8756699025700578
Publication status	Published - Aug 2025

AlGaN/AlN/GaN heterostructures, FFT filtering, III-nitrides, ammonia MBE, growth rate