Standard

Зарастание N-полярных инверсионных доменов в слоях AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия. / Осинных, Игорь Васильевич; МАЛИН, Т.В.; ГИЛИНСКИЙ, А.М. и др.

в: Автометрия, Том 61, № 6, 2025, стр. 59-66.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Осинных, ИВ, МАЛИН, ТВ, ГИЛИНСКИЙ, АМ, Протасов, ДЮ & Вдовин, ВИ 2025, 'Зарастание N-полярных инверсионных доменов в слоях AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия', Автометрия, Том. 61, № 6, стр. 59-66. https://doi.org/10.15372/AUT20250607

APA

Осинных, И. В., МАЛИН, Т. В., ГИЛИНСКИЙ, А. М., Протасов, Д. Ю., & Вдовин, В. И. (2025). Зарастание N-полярных инверсионных доменов в слоях AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия. Автометрия, 61(6), 59-66. https://doi.org/10.15372/AUT20250607

Vancouver

Осинных ИВ, МАЛИН ТВ, ГИЛИНСКИЙ АМ, Протасов ДЮ, Вдовин ВИ. Зарастание N-полярных инверсионных доменов в слоях AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия. Автометрия. 2025;61(6):59-66. doi: 10.15372/AUT20250607

Author

Осинных, Игорь Васильевич ; МАЛИН, Т.В. ; ГИЛИНСКИЙ, А.М. и др. / Зарастание N-полярных инверсионных доменов в слоях AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия. в: Автометрия. 2025 ; Том 61, № 6. стр. 59-66.

BibTeX

@article{7dbd10c8e34e443792108c0e1dd7b1e8,
title = "Зарастание N-полярных инверсионных доменов в слоях AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия",
abstract = "Приведены результаты исследования слоёв AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака на подложках Al2O3 методами сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии. Показано, что инверсионные домены, присутствующие в буферных слоях AlN, не прорастают на поверхность плёнки при дальнейшем росте слоёв AlxGa1-xN с мольной долей алюминия x ≤ 0,2. В слоях с мольной долей алюминия 0,2 ≤ x ≤ 0,5 над инверсионными доменами формируются объёмные платообразные дефекты, простирающиеся на глубину более 200 нм, а при x ≥ 0,5 платообразные дефекты прорастают через весь слой AlxGa1-xN.",
keywords = "ALXGA1-XN, АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ, СКАНИРУЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ, ПРОСВЕЧИВАЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ, ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ, СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ",
author = "Осинных, {Игорь Васильевич} and Т.В. МАЛИН and А.М. ГИЛИНСКИЙ and Протасов, {Д. Ю.} and Вдовин, {Владимир Ильич}",
note = "Зарастание N-полярных инверсионных доменов в слоях AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия / И. В. Осинных, Т. В. Малин, А. М. Гилинский [и др.] // Автометрия. – 2025. – Т. 61, № 6. – С. 59-66. – DOI 10.15372/AUT20250607. – EDN FGYQWN.",
year = "2025",
doi = "10.15372/AUT20250607",
language = "русский",
volume = "61",
pages = "59--66",
journal = "Автометрия",
issn = "0320-7102",
publisher = "ФГУП {"}Издательство СО РАН{"}",
number = "6",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Зарастание N-полярных инверсионных доменов в слоях AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия

AU - Осинных, Игорь Васильевич

AU - МАЛИН, Т.В.

AU - ГИЛИНСКИЙ, А.М.

AU - Протасов, Д. Ю.

AU - Вдовин, Владимир Ильич

N1 - Зарастание N-полярных инверсионных доменов в слоях AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия / И. В. Осинных, Т. В. Малин, А. М. Гилинский [и др.] // Автометрия. – 2025. – Т. 61, № 6. – С. 59-66. – DOI 10.15372/AUT20250607. – EDN FGYQWN.

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Приведены результаты исследования слоёв AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака на подложках Al2O3 методами сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии. Показано, что инверсионные домены, присутствующие в буферных слоях AlN, не прорастают на поверхность плёнки при дальнейшем росте слоёв AlxGa1-xN с мольной долей алюминия x ≤ 0,2. В слоях с мольной долей алюминия 0,2 ≤ x ≤ 0,5 над инверсионными доменами формируются объёмные платообразные дефекты, простирающиеся на глубину более 200 нм, а при x ≥ 0,5 платообразные дефекты прорастают через весь слой AlxGa1-xN.

AB - Приведены результаты исследования слоёв AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака на подложках Al2O3 методами сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии. Показано, что инверсионные домены, присутствующие в буферных слоях AlN, не прорастают на поверхность плёнки при дальнейшем росте слоёв AlxGa1-xN с мольной долей алюминия x ≤ 0,2. В слоях с мольной долей алюминия 0,2 ≤ x ≤ 0,5 над инверсионными доменами формируются объёмные платообразные дефекты, простирающиеся на глубину более 200 нм, а при x ≥ 0,5 платообразные дефекты прорастают через весь слой AlxGa1-xN.

KW - ALXGA1-XN

KW - АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ

KW - СКАНИРУЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ

KW - ПРОСВЕЧИВАЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ

KW - ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ

KW - СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=87311128

U2 - 10.15372/AUT20250607

DO - 10.15372/AUT20250607

M3 - статья

VL - 61

SP - 59

EP - 66

JO - Автометрия

JF - Автометрия

SN - 0320-7102

IS - 6

ER -

ID: 74228059